[發明專利]有機發光顯示設備有效
| 申請號: | 201310688309.X | 申請日: | 2013-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN103872088B | 公開(公告)日: | 2018-01-05 |
| 發明(設計)人: | 李世熙;金官洙;李錫宗;樸鎮鎬;權純甲 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 龐東成,張培源 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 設備 | ||
本申請要求在2012年12月18日提交的韓國專利申請No.10-2012-0148822的優先權,通過引用將該韓國專利申請以如同在本文中全面闡述的方式并入本文。
技術領域
本發明涉及一種根據視角具有增強的色純度的有機發光顯示設備。
背景技術
作為平板顯示設備的一種形式的有機發光顯示設備是一種自發光設備并且具有比其它的平板顯示設備更快的響應速度、更高的發光效率、更高的亮度和更寬廣的視角。有機發光顯示設備包括陽極、與該陽極相對的陰極和布置在陽極與所陰極之間的有機發光層(EML)。從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子在有機EML中重組,形成作為電子-空穴對的激子,并且所述激子返回至基態,由此釋放能量,從而發光。
作為通過有效地提取從有機EML中發出的光來增強光學效率的一種方法,采用的是微腔。在頂部發光結構中,微腔基于這樣一種原理:通過以設定距離(即,光路長度)間隔的反射電極(例如,陽極)與半透明電極(例如,陰極)來反復地反射光,發生這些光束之間的強干擾效應,由此放大具有特定波長的光,而消除具有除特定波長之外的其它波長的光。
然而,在微腔結構中,前面的光路和側面的光路是不同的,因此改變了導致共振的光的波長。因此,比前面的光路具有更大視角的側面的光路相對更長,并且所發出的共振光向短波長移動。即,如圖1A所示,與0°視角相比,在60°視角處,紅色發光單元的最大電致發光峰向短波長移動了約75nm至85nm;如圖1B所示,與0°視角相比,在60°視角處,綠色發光單元的最大電致發光峰向短波長移動了約36nm至50nm;如圖1C所示,與0°視角相比,在60°視角處,藍色發光單元的最大電致發光峰向短波長移動了約10nm至14nm。這是因為,當在EML中形成非均勻摻雜區時,光通過未摻雜的主體發出。因此,發生了根據視角的色偏移現象,因此常規的有機發光顯示設備在色純度方面具有更低的可靠性。
發明內容
因此,本發明涉及一種有機發光顯示設備,該有機發光顯示設備基本上消除了由于上述現有技術的限制和缺點而引起的一個或多個問題。
本發明的目的在于提供一種根據視角具有增強的色純度的有機發光顯示設備。
本發明的額外優點、目的和特征將部分在以下說明書中進行闡述,并且部分對于本領域普通技術人員而言在研讀以下內容后將變得顯而易見,或者可以從本發明的實踐中獲知。本發明的目的和其它優點可以通過在本書面說明書及其權利要求書及附圖中具體指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些目的以及其它優點以及根據本發明的目標,如本文具體實施并廣泛描述地,提供了一種有機發光顯示設備,所述有機發光顯示設備包括:第一電極,所述第一電極形成在基板上并且是反射電極;第二電極,所述第二電極與所述第一電極相對,并且是半透明電極;以及紅色發光層、綠色發光層和藍色發光層,所述紅色發光層、綠色發光層和藍色發光層形成在所述第一電極與所述第二電極之間,其中,所述紅色發光層、綠色發光層和藍色發光層中的每一個的最大電致發光峰和包含在每一個發光層中的主體的最大光致發光峰滿足以下等式1至等式3。
<等式1>
REDELλmax-RHPLλmax≥120nm,其中,REDELλmax是所述紅色發光層的最大電致發光峰,并且RHPLλmax是包含在所述紅色發光層中的紅色主體的最大光致發光峰。
<等式2>
GreenELλmax-GHPLλmax≥20nm,其中,GREENELλmax是所述綠色發光層的最大電致發光峰,并且GHPLλmax是包含在所述綠色發光層中的綠色主體的最大光致發光峰。
<等式3>
BLUEELλmax-BHPLλmax≥20nm,其中,BLUEELλmax是所述藍色發光層的最大電致發光峰,并且BHPLλmax是包含在所述藍色發光層中的藍色主體的最大光致發光峰。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





