[發明專利]反轉的MTJ堆疊件

在審

• 申請號: 201310687504.0
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN104425706A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 黃韋翰;宋福庭;徐晨祐;劉世昌;蔡嘉雄
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L27/22
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種集成電路器件，包括：?

襯底；以及?

磁性隧道結（MTJ），形成在所述襯底的表面上方，所述MTJ包括：?

自由層，位于所述襯底的所述表面上方；?

阻擋層，位于所述自由層上方；和?

釘扎層，位于所述阻擋層上方；?

其中，所述自由層連接至底電極，并且所述釘扎層連接至頂電極。?

2.根據權利要求1所述的集成電路器件，還包括：側壁阻擋層，位于所述自由層的頂部并且鄰接所述釘扎層。?

3.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述自由層比所述釘扎層寬。?

4.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，?

所述自由層包括中心區和周邊區；?

側壁阻擋層環繞在所述釘扎層的周邊；?

所述釘扎層與所述中心區具有相同的范圍；以及?

所述釘扎層不在所述周邊區上方延伸。?

5.根據權利要求4所述的集成電路器件，還包括：另一個側壁阻擋層，形成在所述周邊區之上并且形成在所述釘扎層的側面。?

6.根據權利要求4所述的集成電路器件，其中，所述自由層具有在所述周邊區內但不在所述中心區中的由蝕刻工藝引發的缺陷。?

7.根據權利要求4所述的集成電路器件，其中，所述自由層中位于所述周邊區內但未延伸至所述中心區的部分被轉換為非鐵磁狀態。?

8.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，?

所述襯底是半導體襯底；以及?

所述磁性隧道結是磁阻式隨機存取存儲器陣列中的單元。?

9.一種制造集成電路器件的方法，包括：?

提供襯底；以及?

在所述襯底上方形成磁性隧道結，所述磁性隧道結包括依次形成的下列層：?

自由層；?

阻擋層；和?

釘扎層。?

10.一種制造集成電路器件的方法，包括：?

形成磁阻式隨機存取存儲器單元的陣列，所述陣列中的每一個單元都包括通過權利要求9所述的方法形成的磁性隧道結。?