[發明專利]焦平面探測器安裝結構有效
| 申請號: | 201310685625.1 | 申請日: | 2013-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN103633107A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發明(設計)人: | 陳于偉;董緒豐;程順昌;王艷 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十四研究所 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 重慶輝騰律師事務所 50215 | 代理人: | 侯懋琪;侯春樂 |
| 地址: | 400060 重慶*** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平面 探測器 安裝 結構 | ||
1.一種焦平面探測器安裝結構,其特征在于:所述安裝結構包括焦平面探測器(1)、連接銦柱(2)、CMOS讀出電路塊(3)和環氧樹脂填料(4);焦平面探測器(1)下端面與CMOS讀出電路塊(3)上端面之間通過多根連接銦柱(2)連接,焦平面探測器(1)下端面和CMOS讀出電路塊(3)上端面之間留有間隙;環氧樹脂填料(4)填充在焦平面探測器(1)和CMOS讀出電路塊(3)之間的間隙內,且環氧樹脂填料(4)將連接銦柱(2)包裹在內;所述環氧樹脂填料(4)采用低透光率的環氧樹脂材料。
2.根據權利要求1所述的焦平面探測器安裝結構,其特征在于:所述環氧樹脂填料(4)采用DW-3環氧型膠黏劑或FibKey?8351-2雙組份耐高溫環氧樹脂膠。
3.根據權利要求1所述的焦平面探測器安裝結構,其特征在于:所述焦平面探測器(1)為鋁鎵氮焦平面探測器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





