[發(fā)明專利]一種加熱腔室有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310685118.8 | 申請日: | 2013-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN104716071B | 公開(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉紅義 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 加熱 | ||
本發(fā)明提供一種加熱腔室,包括熱源腔室和主腔室,所述熱源腔室與所述主腔室固定連接,以對設(shè)置在所述主腔室內(nèi)的工件進(jìn)行加熱,其中,所述主腔室內(nèi)還設(shè)置有用于支撐所述工件的支撐機(jī)構(gòu),所述支撐機(jī)構(gòu)能夠繞自身軸線旋轉(zhuǎn)。在本發(fā)明中,所述主腔室內(nèi)設(shè)置有支撐機(jī)構(gòu),在加熱過程中,所述支撐機(jī)構(gòu)能夠繞自身軸線旋轉(zhuǎn),從而對工件進(jìn)行更加均勻的加熱以除去工件上吸附的水蒸氣以及易揮發(fā)雜質(zhì),進(jìn)而提高產(chǎn)品質(zhì)量。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造工藝領(lǐng)域,尤其涉及一種加熱腔室。
背景技術(shù)
硬掩膜(Hard Mask)用于金屬硬掩膜材料的制備工藝,是將金屬硬掩膜材料沉積于地介電常數(shù)材料上。銅互連硬掩膜沉積氣相工藝包括去氣加熱過程和沉積過程。
去氣加熱過程是指工件在去氣加熱腔室中加熱至一定溫度,以去除工件上附著的水蒸氣及其它易揮發(fā)雜質(zhì)。如圖1所示的是現(xiàn)有的加熱腔室的主剖示意圖,在加熱腔室1的頂壁上設(shè)置有加熱燈泡2,石英窗5將加熱腔室1與外界大氣隔離,以保證加熱腔室1的真空環(huán)境,工件3放置在支撐臺4上,加熱燈泡2能夠透過石英窗5對工件3進(jìn)行照射,以實現(xiàn)對工件3加熱。
在上述加熱腔室中,工件3上距離加熱燈泡2較近的部分溫度升高較快,距離加熱燈泡2較遠(yuǎn)的部分溫度升高較慢,使得在加熱過程中工件3受熱不均勻,而加熱不均勻可能會導(dǎo)致部分區(qū)域易揮發(fā)雜質(zhì)去除不干凈,影響后續(xù)工藝,嚴(yán)重的局部不均勻可能會造成工件破碎。
因此,如何對工件進(jìn)行均勻加熱成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種加熱腔室,可以對工件進(jìn)行均勻加熱。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種加熱腔室,包括熱源腔室和主腔室,所述熱源腔室與所述主腔室固定連接,以對設(shè)置在所述主腔室內(nèi)的工件進(jìn)行加熱,其特征在于,所述主腔室內(nèi)還設(shè)置有用于支撐所述工件的支撐機(jī)構(gòu),所述支撐機(jī)構(gòu)能夠繞自身軸線旋轉(zhuǎn)。
優(yōu)選地,所述支撐機(jī)構(gòu)包括托盤和傳動件,所述工件能夠設(shè)置在所述托盤上,所述傳動件穿過所述主腔室的底壁,以連接在所述托盤和動力源之間。
優(yōu)選地,所述主腔室的底壁上設(shè)置有沿所述底壁的厚度方向貫穿所述底壁的通孔,所述傳動件穿過所述通孔,所述主腔室在所述通孔處密封。
優(yōu)選地,所述托盤為圓心角度不小于180°的扇環(huán)形結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地,所述托盤包括支撐部和限位部,所述支撐部用于支撐所述工件,所述限位部固定在所述支撐部的邊緣,并向上延伸。
優(yōu)選地,所述支撐機(jī)構(gòu)還包括支撐件,所述支撐件包括直立部和水平板,所述直立部的一端與所述支撐部固定連接,所述直立部的另一端與所述水平板固定連接,所述傳動件設(shè)置在所述水平板的下端面上。
優(yōu)選地,所述主腔室內(nèi)還設(shè)置有位置檢測機(jī)構(gòu),所述位置檢測機(jī)構(gòu)用于檢測所述支撐機(jī)構(gòu)是否回到旋轉(zhuǎn)的起點(diǎn)位置。
優(yōu)選地,所述位置檢測機(jī)構(gòu)包括傳感器和傳感器反射板,所述傳感器反射板用于接收并反射所述傳感器發(fā)出的光束,所述傳感器和傳感器反射板中的一者固定在所述主腔室的側(cè)壁上,所述光電傳感器和傳感器擋片中的另一者能夠隨所述支撐機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)。
優(yōu)選地,所述熱源腔室內(nèi)設(shè)置有加熱燈。
優(yōu)選地,所述熱源腔室的側(cè)壁上設(shè)置有加熱燈基座,所述加熱燈設(shè)置于所述加熱燈基座上,所述加熱燈基座用于向所述加熱燈供電。
優(yōu)選地,所述熱源腔室外設(shè)置有外罩,所述外罩用于將所述加熱燈基座與外部環(huán)境電氣隔離。。
優(yōu)選地,所述熱源腔室中設(shè)置有反射屏,所述反射屏與所述加熱燈設(shè)置在所述熱源腔室的同一側(cè)內(nèi)壁上。
優(yōu)選地,所述加熱腔室還包括透光的蓋板,所述蓋板用于將所述主腔室和所述熱源腔室分隔。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





