[發明專利]高效率FinFET二極管

有效

• 申請號: 201310684897.X
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN103915486A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 范學實;張勝杰;胡嘉欣;梁銘彰;吳顯揚;謝文興;黃靖方
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L29/861
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體器件，包括：

襯底，具有相對的第一末端和第二末端；

由一個或多個基本平行、細長且相等數量的半導體鰭結構組成的第一組鰭結構和第二組鰭結構，在所述襯底之上設置為分別與所述第一末端和所述第二末端相鄰，所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構彼此間隔開；

一個或多個基本等距并平行的細長的柵極結構，形成在所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構之上，使得每個柵極結構均垂直橫過所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構；

多個電介質帶，交織設置在所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構之間用于使它們彼此之間電絕緣；

第一組半導體帶，由一個或多個摻雜半導體帶組成，具有第一導電類型且分別縱向地形成在所述第一組鰭結構之上；以及

第二組半導體帶，由一個或多個第二摻雜半導體帶組成，具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型且分別縱向地形成在所述第二組鰭結構之上，其中，所述第一組半導體帶與所述第二組半導體帶電絕緣。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，通過所述柵極結構劃分所述第一組半導體帶與所述第二組半導體帶的每一個。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：形成在所述第一組半導體帶與所述第二組半導體帶之上的一個或多個金屬接觸件。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第一組半導體帶中的所有半導體帶均通過所述金屬接觸件彼此電連接。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，以所述第一導電類型或所述第二導電類型的摻雜劑注入所述襯底。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一組半導體帶與所述第二組半導體帶通過外延生長與相應的所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構整體地形成。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一組半導體帶與所述第二組半導體條帶被原位摻雜。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，單位單元中的所述鰭結構的數量是4個、6個或8個。

9.一種FinFET二極管，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底被摻雜以具有第一導電類型或與所述第一導電類型相反的第二導電類型；

第一組鰭結構和第二組鰭結構，由基本等距、平行、細長和相等數量的半導體鰭結構組成，形成在所述襯底上方，所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構彼此間隔開且電絕緣，并且每組中的鰭結構彼此電絕緣；以及

多個基本等距和平行的細長的柵極結構，形成在所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構之上，使得每個柵極結構均垂直橫過所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構，

其中，所述第一組鰭結構的每個鰭結構的頂部被摻雜以具有所述第一導電類型，所述第二組鰭結構的每個鰭結構的頂部被摻雜以具有所述第二導電類型。

10.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

提供襯底，所述襯底具有相對的第一末端和第二末端；

在所述襯底之上形成由一個或多個基本等距、平行、細長和相等數量的半導體鰭結構組成的第一組鰭結構和第二組鰭結構，所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構分別與所述第一末端和所述第二末端相鄰，所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構彼此間隔開；

形成多個電介質帶，所述多個電介質帶交織設置在所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構之間，用于它們之間的電絕緣；

以第一導電類型或與所述第一導電類型相反的第二導電類型的摻雜劑注入所述襯底；

在所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構之上形成一個或多個基本等距和平行的細長的柵極結構，使得每個柵極結構均垂直橫過所述第一組鰭結構和所述第二組鰭結構；

形成由一個或多個摻雜半導體帶組成的第一組半導體帶，所述第一組半導體帶具有第一導電類型且分別縱長地形成在所述第一組鰭結構之上；以及

形成由一個或多個第二摻雜半導體帶組成的第二組半導體帶，所述第二組半導體帶具有第二導電類型且分別縱向地形成在所述第二組鰭結構之上，其中，所述第一組半導體帶與所述第二組半導體帶電絕緣。