[發明專利]一種銀納米線基多層結構的復合透明導電薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201310684573.6
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN103730194A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 沈文鋒;徐青松;黃琦金;楊曄;宋偉杰
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 劉誠午

1.一種銀納米線基多層結構的復合透明導電薄膜，其特征在于，從下至上依次包括：柔性襯底，下AZO導電層、銀納米線導電層和上AZO導電層。

2.如權利要求1所述的銀納米線基多層結構的復合透明導電薄膜，其特征在于，所述銀納米線導電層的粒徑為30-120nm。

3.如權利要求1所述的銀納米線基多層結構的復合透明導電薄膜，其特征在于，所述銀納米線導電層中銀納米線的長度為5～60μm。

4.如權利要求1所述的銀納米線基多層結構的復合透明導電薄膜，其特征在于，所述銀納米線導電層的厚度為100～300nm。

5.如權利要求1所述的銀納米線基多層結構的復合透明導電薄膜，其特征在于，所述上AZO導電層和下AZO導電層中氧化鋁的質量百分比為1%～3%。

6.如權利要求1～5中任一權利要求所述的銀納米線基多層結構的復合透明導電薄膜，其特征在于，所述上AZO導電層厚度為50～200nm。

7.如權利要求1～5中任一權利要求所述的銀納米線基多層結構的復合透明導電薄膜，其特征在于，所述下AZO導電層厚度為30～300nm。

8.一種銀納米線基多層結構的復合透明導電薄膜的制備方法的其特征在于，包括以下步驟：

（1）采用磁控濺射法濺射AZO靶材，在柔性襯底上制備下AZO導電層；

（2）制備銀納米線懸濁液，并將該銀納米線懸濁液涂布至到下AZO導電層上，形成銀納米線導電層；

（3）重復步驟（1）制備上AZO導電層，

所述步驟（2）中采用多元醇法制備銀納米線懸濁液，包括如下步驟：

（2-1）將聚乙烯吡咯烷酮溶解在多元醇溶液中，并進行冷凝回流，使溶解有聚乙烯吡咯烷酮的多元醇溶液的溫度穩定，其中聚乙烯吡咯烷酮的濃度為0.15～0.6mol/L；

（2-2）依次向經過步驟（2-1）處理的多元醇溶液中加入金屬鹽、HNO₃和硝酸銀，并在160～180℃下反應15～40min，其中，聚乙烯吡咯烷酮：金屬鹽：硝酸：硝酸銀的摩爾比為1.5～6：1.5×10^-3～3×10^-3：0.01～0.5：1，所述金屬鹽為Na₂S，NaCl，KCl，CaCl₂中的至少一種；

（2-3）待步驟（2-2）反應后的溶液冷卻到室溫后，進行離心清洗得到銀納米線沉淀物，并將銀納米線沉淀物溶解在水、乙醇或異丙醇中，得到銀納米線懸濁液。

9.如權利要求8所述的銀納米線基多層結構的復合透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中的銀納米線懸濁液的濃度為1～5mg/ml。

10.如權利要求9所述的銀納米線基多層結構的復合透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）還包括對所述的銀納米線導電層進行熱處理。