[發(fā)明專利]三維多層阻變存儲(chǔ)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310684491.1
• 申請(qǐng)日: 2013-12-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104716259A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇波;劉凱;張可鋼;陳華倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種三維多層阻變存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：1個(gè)制作在硅片上的選通管和至少2個(gè)堆疊在2層金屬層之間的存儲(chǔ)電阻；

每個(gè)存儲(chǔ)電阻一端通過(guò)所述2層金屬層中的底金屬層連接所述選通管漏端，另一端連接所述2層金屬層中的頂金屬層分別作為該阻變存儲(chǔ)器的位線；

所述選通管其柵端作為該阻變存儲(chǔ)器的字線，其源端作為該阻變存儲(chǔ)器的源線。

2.如權(quán)利要求1所述的三維多層阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述存儲(chǔ)電阻個(gè)數(shù)為2～100個(gè)。

3.如權(quán)利要求1所述的三維多層阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述金屬層的層數(shù)為2～10層。

4.如權(quán)利要求1所述的三維多層阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述被堆疊在不同金屬層的存儲(chǔ)電阻在豎直方向上位置完全重合。

5.如權(quán)利要求1所述的三維多層阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述金屬層是鋁Al、鋁銅Alcu或銅Cu，所述存儲(chǔ)電阻的阻變存儲(chǔ)介質(zhì)是鎢氧化物WOx或二氧化鉿HfO2。