[發明專利]改善晶圓邊緣處理的方法

在審

• 申請號: 201310684358.6
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN104716017A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 郁新舉
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 高月紅

1.一種改善晶圓邊緣處理的方法，其特征在于，包括步驟：

1）使用正常半導體工藝在襯底的正面形成需要的器件，其中，所述襯底具有正面和背面；

2）在襯底周圍形成溝槽；

3）在溝槽的外圍形成圖形；

4）在襯底的正面貼附支撐物，形成襯底的正面支撐物；

5）通過機械減薄或者化學機械研磨處理對襯底的背面進行減薄；

6）將正面支撐物連同溝槽外圍殘留襯底一同揭除。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1）中，襯底的厚度為100～1000微米；

襯底的材料包括：硅、鍺或鍺硅；

器件包括：金屬氧化物半導體MOS管或微機電系統MEMS。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2）中，溝槽為在襯底的正面形成的一圈溝槽，該溝槽的寬度范圍為10μm～4mm，深度要求大于最終的減薄厚度；形成該溝槽的方法包括：使用機械切割的方式、使用激光切割的方式或通過以下的步驟實現：

（1）在襯底正面涂覆一層光刻膠，該光刻膠的厚度要求在1～10μm范圍內；

（2）將襯底邊緣的光刻膠去除，去除的光刻膠部分為1～5mm；

（3）將襯底在帶有壓邊的刻蝕機臺中進行刻蝕，形成溝槽；

其中，該壓邊寬度為1-5mm，該壓邊中間有10μm～4mm的間隙以便在刻蝕中形成溝槽；該壓邊的材料包括：陶瓷或鐵氟龍；

（4）通過干法或者濕法刻蝕的方式將去掉光刻膠的地方刻蝕掉；

（5）使用光刻膠灰化機臺或者濕法去膠方式去除光刻膠。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3）中，形成圖形的方法包括：通過刻蝕的方式、通過機械切割的方式或者采用激光切割的方式進行；

所述圖形要求必須從晶圓邊緣溝槽部分引出晶圓。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3）中，在溝槽的外圍形成圖形的步驟包括：

I、在襯底正面涂上一層厚度1～10μm的光刻膠；

II、在襯底邊緣的溝槽外圍進行曝光，形成圖形；

III、通過刻蝕在曝光區域形成深度和溝槽深度相同的圖案；

IV、去除光刻膠。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟4）中，支撐物包括：藍膜、膠帶、玻璃或Si。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于：所述膠帶厚度為100微米～300微米，玻璃以及Si的厚度為200微米～725微米。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟5）中，減薄厚度為預期產品需求的厚度，同時需要將所述溝槽底部露出。