[發明專利]電子照相感光構件、處理盒、電子照相設備和酞菁晶體

有效

• 申請號: 201310684345.9
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN103869640A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 田中正人
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G03G5/06
• 分類號: G03G5/06
• 代理公司: 北京魏啟學律師事務所 11398
• 代理人: 魏啟學

技術領域

本發明涉及電子照相感光構件、以及各自具有電子照相感光構件的處理盒和電子照相設備，并且涉及酞菁晶體。

背景技術

由于通常用于電子照相感光構件的圖像曝光裝置的半導體激光器具有650至820nm范圍的長振蕩波長，對長波長范圍的光具有高感光度的電子照相感光構件目前處在開發階段。

酞菁顏料作為對這樣的長波長范圍的光具有高感光度的電荷產生物質是有效的。特別地，氧鈦酞菁和鎵酞菁具有優良的感光性，且到目前為止已報道了各種晶形。

雖然使用酞菁顏料的電子照相感光構件具有優良的感光性，但是問題是產生的光載流子趨于殘留在感光層中充當存儲器，容易導致電位變動如重影。

日本專利申請特開第2001-40237號公報中公布了在酸溶期間向酞菁顏料加入特定有機電子接受體具有增感效果。然而，該方法具有以下問題：添加劑(有機電子接受體)會導致化學變化和在某些情況下很難轉化成期望的晶形。

日本專利申請特開第2006-72304號公報中公布了顏料和特定有機電子接受體的濕式粉碎處理使得同時晶體變換和晶體表面中有機電子接受體的引入，導致改善的電子照相性能。

日本專利申請特開第H07-331107號公報中公布了包含極性有機溶劑的羥基鎵酞菁晶體。在使用變換溶劑如N,N-二甲基甲酰胺的情況下，將極性有機溶劑引入至晶體，以便制造具有優良感光性的晶體。

如上所述為改善電子照相感光構件已進行了各種嘗試。近年來，為進一步改善高品質圖像，期望防止各種環境中由于重影而導致的圖像劣化。根據日本專利申請特開第2006-72304號公報的方法中，有機電子接受體以簡單混合狀態或附著于表面而不充分包含于制得的酞菁晶體中。因此，有改善的必要。根據日本專利申請特開H07-331107的方法中，發現產生的光載流子趨于殘留在感光層充當存儲器，在某些情況下容易導致重影。

發明內容

本發明的目的是提供不僅在常溫常濕環境下而且甚至在低溫低濕環境尤其是嚴苛條件下可輸出具有減少的由于重影而導致的圖像缺陷的圖像的電子照相感光構件。本發明的另外一個目的是提供各自具有所述電子照相感光構件的處理盒和電子照相設備。

本發明的另一個目的是提供包含特定的哌嗪化合物的酞菁晶體。

本發明提供電子照相感光構件，其包含：支承體；和形成于支承體上的感光層；其中該感光層包括酞菁晶體，在所述酞菁晶體中含有下式(1)表示的化合物：

其中R¹至R⁴各自獨立地表示氫原子、甲酰基、乙?；⑾┗⑷〈蛭慈〈耐榛?、取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環基，條件是R¹和R²兩者不同時為氫原子，和條件是取代的芳基的取代基不為乙?；虮郊柞；?。

本發明還提供處理盒，其可拆卸地安裝至電子照相設備的主體，其中該處理盒一體化地支承體電子照相感光構件和選自由充電裝置、顯影裝置、轉印裝置和清潔裝置組成的組的至少一種裝置。

本發明還提供電子照相設備，其具有電子照相感光構件與充電裝置、圖像曝光裝置、顯影裝置和轉印裝置。

本發明還提供酞菁晶體，在所述酞菁晶體中包含下式(1)表示的化合物。

其中R¹至R⁴各自獨立地表示氫原子、甲?；?、乙酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環基，條件是R¹和R²兩者不同時為氫原子，和條件是取代的芳基的取代基不為乙?；虮郊柞；?/p>

本發明可提供不僅在常溫常濕環境下而且甚至在低溫低濕環境尤其是嚴苛條件下可輸出具有減少的由于重影而導致的圖像缺陷的圖像的電子照相感光構件。本發明還可提供各自具有電子照相感光構件的處理盒和電子照相設備。

本發明還可提供作為電荷產生物質的具有優良性能的酞菁晶體。

參考附圖，由以下示例性實施方案的描述，本發明的進一步特征將變得明顯。

附圖說明

圖1為設置有具有電子照相感光構件的處理盒的電子照相設備的示意圖。

圖2為實施例1-1中獲得的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖。

圖3為實施例1-4中獲得的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖。

圖4為實施例1-5中獲得的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖。

圖5為實施例1-7中獲得的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖。