[發(fā)明專利]具有極化補(bǔ)償機(jī)制的氮化物量子阱、激光器及發(fā)光二極管無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310683537.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103682981A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 仇伯倉(cāng);趙青春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東高聚激光有限公司;蘇州華必大激光有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01S5/343 | 分類號(hào): | H01S5/343;H01L33/06 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 項(xiàng)麗 |
| 地址: | 528225 廣東省佛山市南海區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 極化 補(bǔ)償 機(jī)制 氮化物 量子 激光器 發(fā)光二極管 | ||
1.一種具有極化補(bǔ)償機(jī)制的氮化物量子阱,包括交替層疊生長(zhǎng)的多層勢(shì)阱層和多層勢(shì)壘層,其特征在于:所述勢(shì)阱層材料為InyGa1-yN或AlyGa1-yN,其中0<y<0.6,所述勢(shì)阱層材料中y的取值在量子阱生長(zhǎng)方向從低向高或從高向低連續(xù)漸變,且y?值沿生長(zhǎng)方向z的變化關(guān)系滿足式Ⅰ,
(Ⅰ)
式中:E表示量子阱中的總極化電場(chǎng),Eg,InN為氮化銦材料的能帶寬度,Eg,GaN為氮化鎵材料的能帶寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有極化補(bǔ)償機(jī)制的氮化物量子阱,其特征在于:所述量子阱的能帶寬度Eg滿足式Ⅱ,
(Ⅱ)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有極化補(bǔ)償機(jī)制的氮化物量子阱,其特征在于:所述量子阱兩側(cè)的最外層均為勢(shì)壘層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有極化補(bǔ)償機(jī)制的氮化物量子阱,其特征在于:所述勢(shì)壘層的材料為AlxGa1-xN,其中0<x<0.6。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有極化補(bǔ)償機(jī)制的氮化物量子阱,其特征在于:所述勢(shì)壘層的材料AlxGa1-xN中x的取值在量子阱生長(zhǎng)方向從0向0.6連續(xù)漸變或從0.6向0連續(xù)漸變。
6.一種激光器,其特征在于:包括如權(quán)利要求1至4中任一所述的氮化物量子阱。
7.一種發(fā)光二極管,其特征在于:包括如權(quán)利要求1至4中任一所述的氮化物量子阱。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣東高聚激光有限公司;蘇州華必大激光有限公司,未經(jīng)廣東高聚激光有限公司;蘇州華必大激光有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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