[發明專利]液晶顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 201310683240.1 | 申請日: | 2013-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN103869524B | 公開(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發明(設計)人: | 趙正然;金昌玉 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1333 | 分類號: | G02F1/1333;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶顯示器 及其 制造 方法 | ||
本發明提供一種液晶顯示器及其制造方法,該液晶顯示器包括:絕緣基板;柵線,設置在絕緣基板上;第一場產生電極,設置在絕緣基板上;柵極絕緣層,設置在柵線和第一場產生電極上;半導體,設置在柵極絕緣層上;以及數據線,設置在柵極絕緣層上。柵極絕緣層的[N?H]/[Si?H]的值在大約13至大約25的范圍內。這里,[N?H]/[Si?H]的值表示根據FT?IR光譜儀的分析的氮和氫的鍵數[N?H]與硅和氫的鍵數[Si?H]的比率。
技術領域
本公開涉及一種液晶顯示器及其制造方法。
背景技術
液晶顯示器(LCD)是最廣泛使用的平板顯示器之一,并且其通過以下方式顯示圖像:將電壓施加到場產生電極以在液晶(LC)層中產生電場,該電場決定了LC層中的LC分子的取向,從而調整入射光的偏振。
液晶顯示器的益處在于其輕重量和薄形式容易獲得。然而,液晶顯示器的潛在缺陷是橫向可視性可能低于正向可視性,已經開發了不同類型的液晶布置和驅動方法來解決該缺陷。為了實現寬視角,在一個基板上形成像素電極和參考電極的液晶顯示器受到關注。
同時,隨著顯示面積增加,信號線也變長,從而電阻增大。如果電阻這樣增大,則諸如信號延遲或電壓降的困難會發生。為了解決這些困難,可能需要形成具有低電阻率的材料的信號線。
然而,在形成低阻金屬的布線時,低阻金屬層的表面與絕緣層的氮反應,從而可能會產生隆起物(hillock)。為了避免這樣的突起,已經提出了以氫等離子體處理的方法。
然而,當在沉積絕緣層之前以氫等離子體處理時,由透明導體制成的場產生電極中的銦與氫結合,由此產生混濁物(haze)。
發明內容
本發明的示例性實施方式提供一種液晶顯示器及其制造方法,在該液晶顯示器中,當在基板上形成低電阻金屬的柵線和透明導體的場產生電極并且在其上沉積柵極絕緣層時,同時防止了低電阻金屬的隆起物和透明導體的混濁物(haze)。
根據本發明的示例性實施方式的一種液晶顯示器包括:絕緣基板;柵線,設置在絕緣基板上;第一場產生電極,設置在絕緣基板上;柵極絕緣層,設置在柵線和第一場產生電極上;半導體,設置在柵極絕緣層上;以及數據線,設置在柵極絕緣層上。柵極絕緣層的[N-H]/[Si-H]的值在大約13至大約25的范圍內。這里,[N-H]/[Si-H]的值表示根據FT-IR光譜儀的分析的氮和氫的鍵數[N-H]與硅和氫的鍵數[Si-H]的比率。
柵極絕緣層可以包括接觸柵線和第一場產生電極的第一膜、設置在第一膜上的第二膜以及設置在第二膜上的第三膜。
半導體可以接觸第三膜,第一膜的[N-H]/[Si-H]的值可以在大約13至大約25的范圍內。
柵極絕緣層的第二膜的[N-H]/[Si-H]的值可以在大約0.5至大約1.5的范圍內。
柵極絕緣層可以為單層。
柵線可以由低電阻金屬制成。
第一場產生電極可以由包括銦的透明導體制成。
可以還包括設置在基板上的第二場產生電極。
第二場產生電極可以經由絕緣層交疊第一場產生電極。
第一場產生電極和第二場產生電極中的至少一個可以具有多個分支電極。
根據本發明的示例性實施方式的一種液晶顯示器的制造方法包括:在絕緣基板上形成柵線;在絕緣基板上形成第一場產生電極;在柵線和第一場產生電極上沉積具有大約13至大約25的[N-H]/[Si-H]的值的柵極絕緣層。[N-H]/[Si-H]的值表示根據FT-IR光譜儀的分析的氮和氫的鍵數[N-H]與硅和氫的鍵數[Si-H]的比率。該方法還包括:在柵極絕緣層上形成半導體;以及在柵極絕緣層上形成數據線。
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