[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

無效

• 申請號: 201310682769.1
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN103700664A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 劉圣烈;宋泳錫;金熙哲;崔承鎮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

隨著TFT（Thin?Film?Transistor，薄膜晶體管）產業的進步及工藝的改善，AD-ADS（ADvanced?Super?Dimension?Switch，高級超維場轉換，簡稱ADS）廣視角技術已被應用到越來越多的產品當中，包括手機、數碼相機、平板電腦、筆記本電腦、及液晶電視等，其優良的顯示特性已被越來越多的用戶所推崇，市場競爭力很強。

ADS技術是通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-LCD（Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜場效應晶體管液晶顯示器）產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（push?Mura）等優點。

由于ADS自身的特點，其制作工藝較傳統的TN（扭曲向列）產品復雜，構圖及節拍時間（Tact?Time）均有所增加，因此成本較高；另外，現有ADS陣列基板的有源層設置在數據線、源電極和漏電極之下，在對源漏金屬層進行刻蝕時，為了避免對源漏金屬層下的有源層造成損害，還需要在有源層上設置刻蝕阻擋層，進一步增加了陣列基板的復雜性，因此現有ADS產品的陣列基板往往需要6次或7次構圖工藝制作，構圖工藝復雜，制作成本較高。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠減少制備陣列基板時構圖工藝的次數，提高生產效率，降低制作成本。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種陣列基板的制作方法，所述制作方法包括：

提供一襯底基板；

通過一次構圖工藝在所述襯底基板上形成柵電極和柵線的圖形；

通過一次構圖工藝在形成有所述柵電極和柵線的襯底基板上形成像素電極、數據線、源電極、漏電極和公共電極線的圖形；

通過一次構圖工藝在形成有所述像素電極、數據線、源電極、漏電極和公共電極線的襯底基板上形成有源層的圖形；

通過一次構圖工藝在形成有所述有源層的襯底基板上形成包括有過孔的鈍化層的圖形；

通過一次構圖工藝在形成有所述鈍化層的襯底基板上形成公共電極的圖形，所述公共電極通過所述過孔與所述公共電極線連接。

進一步地，所述通過一次構圖工藝在形成有所述柵電極和柵線的襯底基板上形成像素電極、數據線、源電極、漏電極和公共電極線的圖形包括：

在基板上依次沉積第一透明導電層和源漏金屬層；

通過一次構圖工藝利用所述第一透明導電層形成所述像素電極的圖形，利用所述源漏金屬層形成所述源電極和漏電極的圖形。

進一步地，所述通過一次構圖工藝利用所述第一透明導電層形成所述像素電極的圖形，利用所述源漏金屬層形成所述源電極和漏電極的圖形包括：

在所述源漏金屬層上涂覆光刻膠，采用灰色調掩膜板對光刻膠進行曝光，形成光刻膠未保留區域、光刻膠部分保留區域和光刻膠完全保留區域；

曝光顯影之后完全刻蝕掉光刻膠未保留區域的所述源漏金屬層和所述第一透明導電層，形成所述像素電極的圖形；

去除光刻膠部分保留區域的光刻膠，完全刻蝕掉光刻膠部分保留區域的所述源漏金屬層，形成所述源電極和漏電極的圖形；

去除光刻膠完全保留區域的光刻膠。

本發明實施例還提供了一種以上述制作方法制作的陣列基板，所述陣列基板的像素電極位于源電極和漏電極之下，且所述陣列基板的柵電極和源電極、漏電極位于有源層的同一側。

進一步地，所述陣列基板的有源層為透明金屬氧化物半導體。

進一步地，所述透明金屬氧化物半導體為非晶IGZO、HIZO、IZO、InZnO、ZnO、TiO₂、SnO、CdSnO中的一種或多種。

進一步地，所述陣列基板具體包括：

襯底基板；

所述襯底基板上的柵電極和柵線；

所述柵電極和所述柵線上的柵絕緣層；

所述柵絕緣層上的像素電極；

所述像素電極上的數據線、源電極、漏電極和公共電極線；

所述數據線、源電極、漏電極和公共電極線上的有源層；