[發(fā)明專利]一種切割槽形成可控硅穿通結(jié)構(gòu)及其方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310682748.X
• 申請日: 2013-12-16
• 公開（公告）號: CN103730488A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 耿開遠(yuǎn);周建;劉宗賀;李建新
• 申請（專利權(quán)）人: 啟東吉萊電子有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/06;H01L21/768
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 盧海洋

1.一種切割槽形成可控硅穿通結(jié)構(gòu)，其特征在于：該結(jié)構(gòu)包括劃切槽、穿通區(qū)和P^-短基區(qū)，所述穿通區(qū)位于該結(jié)構(gòu)的四周，所述每個(gè)穿通區(qū)的上下部對稱的設(shè)有劃切槽，所述P^-短基區(qū)位于該結(jié)構(gòu)的上下兩端，上端的P^-短基區(qū)的上側(cè)設(shè)有N⁺磷區(qū)，所述上端的P^-短基區(qū)與穿通區(qū)之間設(shè)有玻璃鈍化層，所述玻璃鈍化層上側(cè)設(shè)有臺面槽。

2.一種切割槽形成可控硅穿通結(jié)構(gòu)的方法，包括選材、氧化、光刻穿通槽、短基區(qū)擴(kuò)散、光刻陰極和陰極擴(kuò)散步驟，其特征在于：在光刻穿通槽與短基區(qū)擴(kuò)散步驟之間增加有切割槽步驟，在陰極擴(kuò)散步驟之后的工藝包括有光刻臺面槽、化學(xué)腐蝕臺面槽、玻璃鈍化和正面蒸鋁步驟，

????所述切割槽步驟為：使用砂輪劃片機(jī)對可控硅進(jìn)行雙面切割，切割槽完全對準(zhǔn)穿通光刻圖形，形成正背面對稱的寬度20-30μm、深度77±2μm的槽；

????所述陰極擴(kuò)散步驟之后的工藝：光刻可控硅的臺面槽，接下來使用冰乙酸、氫氟酸和硝酸的比例為1.5:3:10配置而成的化學(xué)腐蝕液對臺面槽進(jìn)行腐蝕，控制溫度為0-3℃，腐蝕槽深60-85μm，接下來使用玻璃粉對可控硅進(jìn)行刮涂并在擴(kuò)散爐中溫度為730±20℃時(shí)進(jìn)行燒結(jié)使玻璃鈍化，接下來使用引線孔板進(jìn)行光刻引線孔，然后使用電子束蒸發(fā)臺進(jìn)行蒸鋁，再使用鋁反刻版進(jìn)行光刻，在溫度為490±20℃中放置0.5±0.2h合成鋁合金，然后使用高真空電子束蒸發(fā)Ti-Ni-Ag三層金屬使其背面金屬化，三層金屬的厚度分別為：Ti=600-1000??、Ni=3000-6000??、Ag=6000-18000??，最后使用分立器件對可控硅片進(jìn)行測試，然后將硅片劃透，藍(lán)膜劃切1/4-1/3厚度，最后進(jìn)行芯片包裝。