[發明專利]用于微細電解加工的線電極陣列結構制備方法有效
| 申請號: | 201310681914.4 | 申請日: | 2013-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN103706899A | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發明(設計)人: | 王權岱;肖繼明 | 申請(專利權)人: | 西安理工大學 |
| 主分類號: | B23H3/04 | 分類號: | B23H3/04 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 710048*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 微細 電解 加工 電極 陣列 結構 制備 方法 | ||
1.一種用于微細電解加工的線電極陣列結構制備方法,其特點在于,具體包括以下步驟:
步驟1、金屬基板的預處理;
步驟2、制作圖形化掩蔽膜;
步驟3、掩膜電解深刻蝕
以表面圖形化的金屬基板(1)為陽極進行電解加工,得到掩膜電解深刻蝕加工制作線電極模板中的工具陰極(5),根據光刻膠圖形寬度及電解電流密度確定電解刻蝕時間,直到得到頂部尖的金屬柵線陣列圖形;
步驟4、去除背面材料,去除與已制作的金屬柵線對應的背部材料,得到與邊框一體的線電極陣列(6),即成。
2.根據權利要求1所述的用于微細電解加工的線電極陣列結構制備方法,其特點在于,所述的步驟1中,金屬基板(1)采用銅材料,對金屬基板(1)進行拋光處理,使表面粗糙度Ra≤0.3,然后依次使用丙酮、酒精和去離子水清洗,再用氮氣吹干后烘干。
3.根據權利要求1所述的用于微細電解加工的線電極陣列結構制備方法,其特點在于,所述的步驟2中,具體流程包括:
前烘,將清洗干凈的金屬基板(1)在110℃-120℃下烘烤10-15min;
涂膠,采用旋涂法在金屬基板(1)表面涂覆一層2-5μm厚的光刻膠(2);
中烘,溫度100℃-110℃,時間10-15min;
曝光,在光刻膠(2)外表面覆蓋一層掩膜版(3),并進行曝光,曝光時間8-10s;
顯影,顯影液選用質量濃度為4‰-6‰的NaOH溶液,顯影時間為55-65s,得到光刻膠線條圖形,即得到曝光顯影后金屬基板(1)表面的圖形化光刻膠(4)。
4.根據權利要求1所述的用于微細電解加工的線電極陣列結構制備方法,其特點在于,所述的步驟3中,工藝參數為:電解液選用質量濃度為5%-10%NaNO3和5%-10%的NaCl混合液,電流密度為5-20A/dm2,電壓為2-5V,間距為20-30mm,電解刻蝕在超聲環境中進行。
5.根據權利要求1所述的用于微細電解加工的線電極陣列結構制備方法,其特點在于,所述的步驟4中,去除方法優選掩膜電解、柱電極電解、激光加工方法。
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