[發明專利]一種臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構及其制備工藝

有效

• 申請號: 201310681860.1
• 申請日: 2013-12-16
• 公開（公告）號: CN103730430A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 劉宗賀;鄒有彪;張鵬;王泗禹;耿開遠;周健;李建新
• 申請（專利權）人: 啟東吉萊電子有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56;C30B28/14;C23C16/34;C23C16/40
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 盧海洋

1.一種臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構，包括P?型硼結區和N?型磷結區，所述N?型磷結區上下兩端均設有P?型硼結區，其特征在于：在臺面大功率半導體器件臺面PN結表面從內到外依次包括α-多晶硅層、半絕緣多晶硅薄膜、低溫熱氧化層、高溫Si₃N₄薄膜、負電荷性玻璃鈍化層和低溫熱氧化層。

2.一種如權利要求1所述的臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構的制備工藝，其特征在于：依次包括以下工藝步驟：

a、淀積α-多晶硅，采用LPCVD淀積，溫度為570~580℃，壓強0.3~0.4t，SiH₄流量40cc/min，淀積時間4~5min；

b、淀積半絕緣多晶硅，采用LPCVD淀積，溫度為650~670℃，壓強0.3t，SiH₄流量250cc/min，N₂O流量40cc/min，淀積時間40~50min；

c、淀積低溫熱氧化層，采用LPCVD淀積，溫度為420~450℃，壓強0.3t，SiH₄流量150cc/min，?O₂流量40cc/min，淀積時間20~30min；

d、淀積Si₃N₄，采用LPCVD淀積，溫度為750~800℃，壓強0.3~0.5t，SiH₂Cl₂流量150cc/min，?NH₃流量400cc/min，淀積時間20~30min；

e、玻璃鈍化，采用刮涂的方法涂鉛鋁硅酸鹽玻璃，先刮正面再刮背面，玻璃燒出條件為：溫度450~500℃，時間10min，O₂流量為1000~1500mL/min、?N₂流量為4000mL/min，燒結條件為：溫度750~780℃，時間20min，O₂流量為1000~1500mL/min、?N₂流量為4000mL/min，進行兩次刮涂、燒出、燒結玻璃粉；

f、最外層的低溫熱氧化層淀積，采用LPCVD淀積，溫度為420~450℃，壓強0.3t，SiH₄流量150cc/min，O₂流量40cc/min，淀積時間30~50min。