[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310681725.7 | 申請日： | 2013-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN104716029A | 公開（公告）日： | 2015-06-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔣莉 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 高偉;付偉佳 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 制作方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
a）提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有鎢柵極結(jié)構(gòu)，所述鎢柵極結(jié)構(gòu)由層間介電層包圍；
b）回刻蝕所述鎢柵極結(jié)構(gòu)的一部分，以在所述鎢柵極結(jié)構(gòu)的上方形成凹槽；
c）在所述層間介電層上和所述凹槽內(nèi)形成帽層，所述帽層填滿所述凹槽；
d）在所述帽層上形成保護(hù)層；以及
e）采用化學(xué)機(jī)械拋光去除所述保護(hù)層和所述凹槽以外的帽層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鎢柵極結(jié)構(gòu)的回刻蝕部分的厚度為200-400埃。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述帽層為氮化物。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層為氧化物。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層的拋光速率大于所述帽層的拋光速率。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度小于所述帽層的厚度。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述帽層的厚度為500-1500埃。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為200-1000埃。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鎢柵極結(jié)構(gòu)包括位于所述半導(dǎo)體襯底上的柵極介電層、位于所述柵極介電層上的鎢柵極材料層以及包圍所述鎢柵極材料層的功函數(shù)層。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層的結(jié)合力大于所述帽層的結(jié)合力。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
