[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310681645.1
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN104716257A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葛洪濤;李海艇;楊玲;包小燕
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;趙禮杰

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S101：提供包括金屬層和位于其上的第一層間介電層的前端器件，所述前端器件包括邏輯電路區(qū)和MRAM單元電路區(qū)，在所述第一層間介電層位于所述邏輯電路區(qū)的部分中形成通孔；

步驟S102：在所述通孔內(nèi)形成金屬插塞；

步驟S103：在所述第一層間介電層上形成第二層間介電層，在所述第二層間介電層位于所述邏輯電路區(qū)的部分和位于所述MRAM單元電路區(qū)的部分中分別形成用于容置互連線的第一溝槽和用于容置數(shù)字線的第二溝槽；

步驟S104：形成覆蓋所述第二溝槽的內(nèi)壁的具有磁通集中作用的覆蓋層；

步驟S105：形成位于所述第一溝槽內(nèi)的互連線和位于所述第二溝槽內(nèi)的數(shù)字線，其中，所述數(shù)字線的側(cè)壁和底部被所述覆蓋層所包覆。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述覆蓋層的材料為鈷。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S104中，所述覆蓋層還覆蓋所述第一溝槽的內(nèi)壁。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S101中，所述前端器件通過標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制得。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S101中，在所述第一層間介電層位于所述邏輯電路區(qū)的部分中形成通孔的方法包括：

步驟S1011：在所述第一層間介電層上形成帶有開口的第一光刻膠層，其中所述開口位于所述邏輯電路區(qū)；

步驟S1012：以所述第一光刻膠層為掩膜對所述第一層間介電層進(jìn)行干法刻蝕，形成通孔。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S102包括：

步驟S1021：形成覆蓋所述通孔的側(cè)壁和底壁的阻擋層和位于所述阻擋層之上的種子層；

步驟S1022：在所述通孔中填充銅材料以形成銅材料層；

步驟S1023：通過化學(xué)機(jī)械拋光去除所述銅材料層以及所述阻擋層和所述種子層高于所述第一層間介電層的部分，形成所述金屬插塞。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S103包括：

步驟S1031：在所述第二層間介電層上形成第二光刻膠層，其中所述第二光刻膠層位于所述邏輯電路區(qū)的部分以及位于所述MRAM單元電路區(qū)的部分均具有開口；

步驟S1032：以所述第二光刻膠層為掩膜對所述第二層間介電層進(jìn)行刻蝕，形成所述第一溝槽和所述第二溝槽。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S104中，形成所述覆蓋層的方法包括物理氣相沉積法。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S105包括：

步驟S1051：形成覆蓋所述第一溝槽內(nèi)壁以及所述第二溝槽內(nèi)壁的阻擋層和位于所述阻擋層之上的種子層；

步驟S1052：在所述第一溝槽與所述第二溝槽內(nèi)填充銅材料以形成銅材料層；

步驟S1053：通過化學(xué)機(jī)械拋光去除所述銅材料層以及所述阻擋層和所述種子層高于所述第二層間介電層的部分，形成所述互連線以及所述數(shù)字線。

10.如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述互連線位于所述金屬插塞的上方并與所述金屬插塞相連接。