[發(fā)明專利]基于SiO2/Si3N4分布式布拉格反射鏡的紫外帶通濾波器及制備無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310680602.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103681898A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉斌;高望;張榮;謝自力;陳鵬;曹先雷;李志成;修向前;陳敦軍;韓平;施毅;鄭有炓 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/0232 | 分類號(hào): | H01L31/0232;H01L31/18;G02B5/20 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 陳建和 |
| 地址: | 210093 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 sio sub si 分布式 布拉格 反射 紫外 帶通濾波器 制備 | ||
1.一種基于SiO2/Si3N4分布式布拉格反射鏡的紫外帶通濾波器,其特征是選用藍(lán)寶石(0001)、氮化鋁或鋁鎵氮襯底,襯底的表面為平整面;在襯底上或者具有紫外探測(cè)器件結(jié)構(gòu)的表面生長(zhǎng)制備一前一后堆疊的分布式布拉格底鏡和頂鏡兩個(gè)反射鏡,兩反射鏡間用中間隔離層隔開(kāi),形成紫外帶通濾波器;生長(zhǎng)分布式布拉格反射鏡底鏡,以形成帶通濾波器反射譜中的長(zhǎng)波段右禁帶,平均反射率為85~95%,寬度為50~80nm;在底鏡上繼續(xù)生長(zhǎng)分布式布拉格反射鏡頂鏡,形成帶通濾波器反射譜中短波段左禁帶,平均反射率為85~95%,寬度為50~80nm;中間生長(zhǎng)光學(xué)隔離層,其厚度為50~150nm;選擇介質(zhì)薄膜SiO2與Si3N4、TiO2、HfO2中之一兩者組成分布式布拉格反射鏡(DBR)的單位結(jié)構(gòu),頂鏡或底鏡的反射鏡周期數(shù)為4~20;整個(gè)厚度范圍為1.5μm~2μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述紫外帶通濾波器的制備方法,其特征是采用PECVD在藍(lán)寶石襯底上周期生長(zhǎng)SiO2及Si3N4、TiO2、HfO2中之一,制備一頂鏡一底鏡堆疊的分布式布拉格反射鏡,兩鏡間用中間隔離層隔開(kāi),形成紫外帶通濾波功能的光學(xué)器件,步驟如下:
1)在拋光藍(lán)寶石(0001)襯底或者具有紫外探測(cè)器件結(jié)構(gòu)的表面生長(zhǎng)SiO2/Si3N4介質(zhì)薄膜構(gòu)成分布式布拉格反射鏡結(jié)構(gòu),確定反射鏡的中心反射波長(zhǎng)、帶寬、截止波長(zhǎng),用于校準(zhǔn)濾波器的工作波段;
2)介質(zhì)薄膜采用PECVD方法生長(zhǎng),其中Si源、N源和O源分別為硅烷、氮?dú)夂鸵谎趸徽麄€(gè)厚度范圍為1.5μm~2μm,周期數(shù)為4~20,尤其是10~20;
3)采用PECVD設(shè)備在兩英寸雙面拋光藍(lán)寶石(0001)襯底或者具有紫外探測(cè)器件結(jié)構(gòu)的表面生長(zhǎng)制備一前一后堆疊的分布式布拉格反射鏡,兩者間用中間隔離層隔開(kāi),形成紫外帶通濾波器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外帶通濾波器的制備方法,其特征是選擇介質(zhì)薄膜SiO2與Si3N4、TiO2、HfO2中之一兩者組成分布式布拉格反射鏡(DBR)的單位結(jié)構(gòu),頂鏡或底鏡的反射鏡周期數(shù)為10~20。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述紫外帶通濾波器的制備方法,其特征是制備的SiO2/Si3N4分布式布拉格反射鏡結(jié)構(gòu),采用PECVD方法控制生長(zhǎng),Si源、N源和O源分別為硅烷(SiH4)、氮?dú)?N2)和一氧化二氮(N2O),制備在拋光藍(lán)寶石(0001)襯底或者具有紫外探測(cè)器件結(jié)構(gòu)的表面;
對(duì)于生長(zhǎng)Si3N4子層,反應(yīng)腔體壓強(qiáng)范圍為:500~700Pa;溫度范圍為:280~350℃;射頻功率范圍為:12~18W;SiH4氣源流量范圍為:15~30sccm;N2氣源流量范圍為:800~1000sccm;
對(duì)于生長(zhǎng)SiO2子層,反應(yīng)腔體壓強(qiáng)范圍為:150~300Pa;溫度范圍為:280~350℃;射頻功率范圍為:6~10W;SiH4氣源流量范圍為:50~150sccm,N2O氣源流量范圍為:300~500sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述紫外帶通濾波器的制備方法,其特征是根據(jù)光學(xué)傳輸矩陣?yán)碚?模擬計(jì)算分布式布拉格反射鏡及紫外帶通濾波器的光學(xué)反射譜,確定其多層介質(zhì)膜的種類、周期、厚度、化學(xué)成分,以選擇適當(dāng)生長(zhǎng)工藝及參數(shù);目標(biāo)工作波長(zhǎng)為280nm至400nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述紫外帶通濾波器的制備方法,其特征具有可通過(guò)調(diào)節(jié)生長(zhǎng)時(shí)間對(duì)介質(zhì)膜子層厚度進(jìn)行控制,以此為基礎(chǔ)改變帶通濾波器的通帶寬度與中心波長(zhǎng),實(shí)現(xiàn)中心波長(zhǎng)從280~400nm,通帶寬度從30nm~70nm的帶通濾波器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
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