[發明專利]半導體氣體傳感器及其制備方法有效
| 申請號： | 201310677638.4 | 申請日： | 2013-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN103675028A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 張克棟;徐紅艷;崔錚 | 申請（專利權）人： | 蘇州納格光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/00 | 分類號： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 楊林潔 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市工業*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 氣體 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導體氣體傳感器，其特征在于，包括：
基底，所述基底具有表面；
設置在所述表面的加熱電極；
位于所述加熱電極形成的熱場內的信號感測電極，所述信號感測電極包括導電電極以及電性連接所述導電電極的氣敏材料；其中，
所述加熱電極和所述信號感測電極之間設置有絕緣介質層。
2.根據權利要求1所述的半導體氣體傳感器，其特征在于，所述絕緣介質層的材質選自氧化鋁、二氧化硅、二氧化鉿中的一種或幾種。
3.根據權利要求1所述的半導體氣體傳感器，其特征在于，所述基底、加熱電極、以及信號感測電極之間分別設置有粘結層。
4.根據權利要求1所述的半導體氣體傳感器，其特征在于，所述粘結層為Ti金屬薄膜、或Cr金屬薄膜、或Ti/Cr合金薄膜。
5.根據權利要求1所述的半導體氣體傳感器，其特征在于，所述基底選自表面氧化的硅片、玻璃片、石英片、氧化鋁陶瓷片、氮化鋁陶瓷片、氧化鋯陶瓷片、聚酰亞胺薄膜中的一種，所述基底的厚度為100um~1000um。
6.根據權利要求1所述的半導體氣體傳感器，其特征在于，所述加熱電極的材質選自金、銀、鉑、銅、鎢、鉑金合金、銀鈀合金、鎳鉻合金、鉬錳合金、氮化鈦、氧化釕中的一種，所述導電電極的材質選自金、銀、鉑、銅、鎢中的一種。
7.根據權利要求1所述的半導體氣體傳感器，其特征在于，所述加熱電極呈方波、或鋸齒波、或三角波、或正弦波、或蛇形。
8.根據權利要求1所述的半導體氣體傳感器，其特征在于，所述絕緣介質層通過噴墨印刷的方式制得。
9.一種半導體氣體傳感器的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
S1、在基底上制作加熱電極；
S2、在基底上噴墨印刷一層絕緣介質層的前驅體墨水；
S3、將經過步驟S2處理的基底進行退火，得到形成在基底上的絕緣介質層；
S4、在所述絕緣介質層上制作導電電極，并在所述導電電極上沉積氣敏材料，得到半導體氣體傳感器。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，步驟S3中的退火溫度為500℃~1000℃，退火處理的時間為10min~24h，形成的絕緣介質層的厚度為200nm~2um。
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