[發明專利]基于水玻璃?陶瓷復合介質的TSV封裝再分布層制備方法有效
| 申請號: | 201310675641.2 | 申請日: | 2013-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN103762182B | 公開(公告)日: | 2017-08-01 |
| 發明(設計)人: | 鹿雯;丁桂甫;羅江波;汪紅 | 申請(專利權)人: | 上海交通大學 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/316 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產權代理有限公司31236 | 代理人: | 郭國中 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 水玻璃 陶瓷 復合 介質 tsv 封裝 再分 制備 方法 | ||
1.一種基于水玻璃-陶瓷復合介質的TSV封裝再分布層制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)將水玻璃和陶瓷粉末混合,使陶瓷粉末均勻分散在水玻璃中,得到混合漿料;
所述的陶瓷粉末為AlN,或者所述的陶瓷粉末為AlN與以下物質中一種或多種混合物:BN、SiC、Si3N4、Al2O3;
(2)將上述混合漿料均勻涂覆在再分布互連線已經完成的晶圓表面;
(3)通過程序控溫烘干固化上述混合漿料,形成水玻璃-陶瓷復合介質;
步驟(3)中,所述的固化方式為加熱固化,起始溫度為室溫,升溫速度為0.1~10℃/min,最高溫度為500℃;
(4)再次用少量水玻璃涂覆步驟(3)中得到的復合介質表面以填充其中存在的空隙,并烘干固化;
(5)對成型的復合介質層進行研磨平坦化處理,露出金屬連接柱,即完成單層再分布層制備。
2.根據權利要求1所述的基于水玻璃-陶瓷復合介質的TSV封裝再分布層制備方法,其特征在于,步驟(1)中,所述水玻璃為鋰水玻璃、鈉水玻璃、鉀水玻璃中的一種或多種混合物。
3.根據權利要求2所述的基于水玻璃-陶瓷復合介質的TSV封裝再分布層制備方法,其特征在于,步驟(1)中,所述鈉水玻璃模數為3.0~4.0。
4.根據權利要求1所述的基于水玻璃-陶瓷復合介質的TSV封裝再分布層制備方法,其特征在于,所述的陶瓷粉末的平均粒徑小于所需制備薄膜厚度的四分之一。
5.根據權利要求1-4任一項所述的基于水玻璃-陶瓷復合介質的TSV封裝再分布層制備方法,其特征在于,步驟(1)中,混合漿料中陶瓷粉末與水玻璃的質量比為(0~2.0):1;若一次涂覆厚度小于所需厚度,可重復多次。
6.根據權利要求1-4任一項所述的基于水玻璃-陶瓷復合介質的TSV封裝再分布層制備方法,其特征在于,步驟(5)中:為滿足再分布層的平整度要求,并露出金屬連接柱,需要對表面進一步磨平和拋光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





