[發明專利]一種高溫壓控振蕩器

無效

• 申請號: 201310675486.4
• 申請日: 2013-12-11
• 公開（公告）號: CN103647507A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 楊杰;孫宇舸;葉檸;沈鴻媛
• 申請（專利權）人: 東北大學
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04;H03B5/08
• 代理公司: 沈陽東大專利代理有限公司 21109
• 代理人: 梁焱

1.一種高溫壓控振蕩器，包括選頻及正反饋網絡和放大器，其特征在于：所述選頻及正反饋網絡包括電感器、第一電容器、第二電容器、第三電容器、第四電容器和第五電容器，其中，第五電容器為可變電容，第一電容器的一端連接第五電容器的一端，第一電容器的另一端連接第二電容器的一端，第二電容器的另一端連接第三電容器的一端，第三電容器的另一端連接第四電容器的一端，第四電容器的另一端連接第五電容器的另一端，電感的一端連接在第一電容器、第二電容器之間，電感的另一端連接在第四電容器、第五電容器之間，第五電容器的另一端連接直流電源的負極；?

所述放大器包括基于寬禁帶半導體材料的第一半導體場效應晶體管和第一電阻；第一半導體場效應晶體管的柵極連接在選頻及正反饋網絡的第三電容器、第四電容器之間，第一半導體場效應晶體管的漏極連接直流電源正極，第一半導體場效應晶體管的源極連接第一電阻的一端，第一電阻的另一端連接到選頻及正反饋網絡的第四電容器的另一端，第一電阻的一端還連接在選頻及正反饋網絡的第三電容器、第四電容器之間。

2.根據權利要求1所述的高溫壓控振蕩器，其特征在于：所述第一半導體場效應晶體管為SiC半導體場效應管。

3.根據權利要求1所述的高溫壓控振蕩器，其特征在于：所述第五電容器用GaN?LED替代。

4.根據權利要求1所述的高溫壓控振蕩器，其特征在于：所述高溫壓控振蕩器采用低溫共燒陶瓷工藝制成電路板。

5.根據權利要求1所述的高溫壓控振蕩器，其特征在于：還包括源級跟隨器，該源級跟隨器包括第二半導體場效應晶體管和第二電阻，第二半導體場效應晶體管的漏極連接第一半導體場效應晶體管的漏極，第二半導體場效應晶體管的柵極連接至第一半導體場效應晶體管的源級，第二半導體場效應晶體管的源級連接第二電阻的一端，第二電阻的另一端連接第一電阻的另一端。

6.根據權利要求1或5所述的高溫壓控振蕩器，其特征在于：還包括偏置電路，該電路包括第三電阻和第四電阻，第三電阻的一端連接在第一半導體場效應晶體管的漏極與直流電源正極之間，第三電阻的另一端連接第四電阻的一端，第三電阻的另一端連接至第二電容與第一電容之間，再與第四電阻的一端連接，第四電阻的另一端連接在第四電容和電感之間。

7.根據權利要求5所述的高溫壓控振蕩器，其特征在于：所述第二半導體場效應晶體管為SiC半導體場效應管。