[發(fā)明專利]光學(xué)耦合器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310675025.7
• 申請(qǐng)日: 2013-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN103872170A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 野邑由起夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L31/12
• 分類號(hào): H01L31/12;H01L31/02;H01L31/0203
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光學(xué)耦合器件。

背景技術(shù)

光學(xué)耦合器件，例如光耦合器以及光MOSFET，是公知的。光學(xué)耦合器件具有光發(fā)射器件和光接收器件。在光學(xué)耦合器件中，電信號(hào)被光發(fā)射器件轉(zhuǎn)換成光信號(hào)。光信號(hào)被供應(yīng)至光接收器件。當(dāng)接收到光信號(hào)時(shí)，光接收器件變成導(dǎo)電狀態(tài)。因此，能夠在保持光發(fā)射器件和光接收器件之間的電絕緣狀態(tài)的同時(shí)傳輸信號(hào)。

作為光學(xué)耦合器件的一個(gè)示例，專利文獻(xiàn)1（JP?H10-209488A）中公開的光學(xué)耦合器件是公知的。在專利文獻(xiàn)1的光學(xué)耦合器件中，光發(fā)射器件設(shè)置在主側(cè)引線框架上并線結(jié)合至布線引線框架，且光接收器件設(shè)置在次級(jí)側(cè)引線框架上并線結(jié)合至布線引線框架。光發(fā)射器件和光接收器件由諸如環(huán)氧樹脂的主半透明模具覆蓋，且在其周圍，形成由光阻擋環(huán)氧樹脂等制成的輔助模制層。注意到利用金、銀、鋁、銅等線結(jié)合光發(fā)射器件和光接收器件。

引證列表

[專利文獻(xiàn)1]JP?H10-209488A

發(fā)明內(nèi)容

在根據(jù)專利文獻(xiàn)1的光學(xué)耦合器件中，利用環(huán)氧樹脂密封光發(fā)射器件和光接收器件。

另一方面，考慮到樹脂特性等，也存在利用硅基樹脂層密封光發(fā)射器件和光接收器件的情況。而且，有時(shí)利用Au線將光發(fā)射器件與引線框架連接。在這種情況下，Au線也由硅基樹脂層覆蓋。

這里，據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人所知，硅基樹脂層和Au線之間的粘附屬性較弱。因此，有時(shí)在硅基樹脂層和Au線之間會(huì)產(chǎn)生空隙。該空隙妨礙光傳輸。

將從說明書和附圖使其他問題和新特征變得清楚。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的光學(xué)耦合器件包括第一引線框架、安裝在第一引線框架上的光發(fā)射器件、構(gòu)造為接收從光發(fā)射器件發(fā)射的光的光接收器件、設(shè)置為具有半透明屬性并覆蓋光發(fā)射器件的硅基樹脂層、連接第一引線框架和光發(fā)射器件的導(dǎo)電線。導(dǎo)電線由包含銀的材料形成。

根據(jù)上述一個(gè)實(shí)施例，提供光學(xué)耦合器件，其能提高光傳輸速率。

附圖說明

圖1是示意性示出根據(jù)第一實(shí)施例的光學(xué)耦合器件的截面圖；

圖2是示意性示出根據(jù)一個(gè)比較例的光學(xué)耦合器件的截面圖；

圖3是示意性示出根據(jù)該比較例的光學(xué)耦合器件的截面圖；

圖4是示意性示出根據(jù)第一實(shí)施例的光學(xué)耦合器件的截面圖；

圖5是示意性示出根據(jù)第二實(shí)施例的光學(xué)耦合器件的截面圖；

圖6是示意性示出金屬和硅基樹脂層之間的界面部分的狀態(tài)的示意圖；

圖7是示意性示出根據(jù)參考例1的光學(xué)耦合器件的截面圖；

圖8是示意性示出根據(jù)參考例2的光學(xué)耦合器件的示意圖；

圖9是示意性示出根據(jù)第五實(shí)施例的光學(xué)耦合器件的分離圖；

圖10是示意性示出根據(jù)第五實(shí)施例的一個(gè)比較例的光學(xué)耦合器件的截面圖；

圖11是示意性示出根據(jù)對(duì)于第五實(shí)施例的比較例的光學(xué)耦合器件的截面圖；

圖12是示意性示出根據(jù)第五實(shí)施例的光學(xué)耦合器件的截面圖；以及

圖13是示意性示出根據(jù)第六實(shí)施例的光學(xué)耦合器件的截面圖。

具體實(shí)施方式

以下將參考附圖說明光學(xué)耦合器件的實(shí)施例。

[第一實(shí)施例]

圖1是示意性示出根據(jù)第一實(shí)施例的光學(xué)耦合器件的截面圖。

如圖1中所示，光學(xué)耦合器件10包括光發(fā)射器件1、光接收器件2、第一引線框架4-1、第二引線框架4-2、硅基樹脂層6、半透明樹脂層7以及光阻擋樹脂層8。

第一引線框架4-1包括第一相對(duì)區(qū)5-1，且第二引線框架4-2包括第二相對(duì)區(qū)5-2。第一引線框架4-1和第二引線框架4-2被布置為使得第一相對(duì)區(qū)5-1和第二相對(duì)區(qū)5-2彼此相對(duì)。

光發(fā)射器件1通過導(dǎo)電漿料3（安裝材料）安裝在第一相對(duì)區(qū)5-1中。光接收器件2也通過導(dǎo)電漿料3安裝在第二相對(duì)區(qū)5-2中。光發(fā)射器件1由諸如GaAs和AlGaAs的材料構(gòu)造。

光發(fā)射器件1通過Ag線12-1連接至第一引線框架4-1。Ag線12-1是合金線，該合金線包括占合金線的總重量50重量％以上的Ag。

類似于光發(fā)射器件1，光接收器件2也通過Ag線12-2連接至第二引線框架4-2。

硅基樹脂層6設(shè)置為保護(hù)光發(fā)射器件1。即，硅基樹脂層6設(shè)置為覆蓋光發(fā)射器件1。硅基樹脂層6具有半透明屬性。這里，硅基樹脂層6也設(shè)置為完全覆蓋Ag線12-1。注意到，硅基樹脂層6是包括在主鏈中具有硅氧烷鍵的樹脂作為主要成分的樹脂層。