[發明專利]一種改善釩酸釔晶體內部質量的方法無效
| 申請號: | 201310674244.3 | 申請日: | 2013-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN103668457A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 曾憲林;陳偉;王昌運 | 申請(專利權)人: | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C30B29/30 | 分類號: | C30B29/30;C30B15/04 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 釩酸釔 晶體 內部 質量 方法 | ||
技術領域
本發明涉及光電子功能材料領域,特別涉及一種改善釩酸釔晶體內部質量的方法。
技術背景
純釩酸釔(YVO4)晶體是一種優秀的雙折射晶體材料,與傳統的雙折射晶體材料—金紅石、方解石和鈮酸鋰相比,具有雙折射率大、光損傷閾值大、透光性能好、透光波段范圍大、抗潮解、易加工等突出的優點。主要應用于光纖通訊中光隔離器、環形器、光分束器及紅外偏振器中。
摻釹釩酸釔(Nd:?YVO4)是一種性能優良的激光晶體。該晶體具有吸收系數大、吸收帶寬、受激發射截面大、激光閾值低、效率高等特點。與傳統的Nd:YAG晶體相比,Nd:YVO4?更適合于制作高效率、小型化、全固態LD泵浦激光器。
然而要得到高質量、大尺寸的釩酸釔(YVO4,Nd:YVO4)晶體是非常困難的,晶體中存在開裂、多晶、解離、小角晶界、包裹和散射等缺陷。通過采用液相合成技術合成出高純度、配比準確的原料,可在一定程度上減少多晶、包裹和散射缺陷的產生(位民?李敢生等?釩酸釔(Nd3+:YVO4?YVO4)晶體的原料合成??《人工晶體學報》?1998年第27卷第二期?),小角度晶界這種缺陷難于消除。純釩酸釔生長時,熔體在高溫下容易發生分解揮發造成Y/V組分配比偏離,使晶格失配產生位錯,在非穩態溫場下位錯經過遷移和重排形成小角晶界,而摻釹釩酸釔晶體生長時,大尺寸的Nd3+(離子半徑0.0995nm)取代Y3+位置(離子半徑0.0893nm),導致晶格畸變,產生小角度晶界。在晶體生長時摻入釩酸鑭化合物,利用大半徑的La3+離子取代Y3+離子晶格位,通過晶格變形的張力減輕刃型位錯的應變能來抑制小角晶界的形成。(專利申請號:200810071272.5?一種摻釹釩酸鑭釔激光晶體及其制備方法和應用)這種方法確實可以一定程度上減輕小角晶界,但大半徑的La3+離子進入晶格后,造成晶體內應力增大,在生長結束降溫退火和后續器件加工過程中晶體容易開裂。
發明內容
本發明的內容是提供一種有效改善釩酸釔晶體內部質量的方法,不增大晶體的內應力,不改變釩酸釔晶體的激光光學性能。
發明原理:在釩酸釔生長時,添加少量與Y同為鑭系元素的Lu,由于Lu3+離子半徑0.085nm比Y3+離子半徑0.0893nm略小,Lu3+離子進入晶格后填補了Y3+離子缺失產生的空位和間隙,緩和了晶格畸變,減輕了晶格的結構應力,從而減少了小角晶界等缺陷的形成,達到改善釩酸釔晶體的內部光學均勻性的目的,由于Lu3+的4f電子全滿,具有密閉的殼層,具有光學惰性,不會對釩酸釔的激光光學性能產生影響。
采用以下技術方案實現:采用液相合成方法分別制作YVO4,Nd:YVO4及LuVO4高純原料,在釩酸釔(YVO4,Nd:YVO4)晶體生長時,添加少量的LuVO4化合物(添加量?X=0.001~0.2,X=LuVO4/?YVO4,Nd:YVO4摩爾比),升溫將混合料熔化后,恒溫數小時,選用高質量無缺陷的釩酸釔籽晶接種,采用“縮頸”工藝放肩生長,整個生長過程包括升溫化料、籽晶預熱、接種、升溫縮頸、放肩拉直、生長結束、降溫退火,料全熔后,恒溫數小時使熔體混合均勻,即可得到高質量的釩酸釔單晶,生長方法的生長參數為晶轉速度為5~20rpm,晶體生長速度為0.5~2.0mm/h,退火速率為5~80℃/h。
具體實施方式
實施例1:采用φ90*60mm的銥金坩堝生長純釩酸釔晶體(YVO4)時,LuVO4的添加量X=0.05摩爾比,中頻感應升溫化料,全熔后,恒溫5小時。選用高質量的C軸純釩酸釔籽晶,采用“縮頸”工藝放肩生長,生長速度為0.5~1.5mm/h,晶轉速度為8~20rpm,生長72小時后,提起退火,退火降溫速率為5~60℃/小時,得到尺寸為φ42*36mm的YVO4單晶,晶體重276g,用氦氖激光器和金相顯微鏡檢測晶體內部質量,晶體無散射、包裹和小角度晶界。
實施例2:采用φ70*40mm的銥金坩堝生長0.27%摻釹釩酸釔晶體(0.27%?Nd:YVO4)時,LuVO4的添加量X=0.03摩爾比,升溫化料,全熔后,恒溫4小時。使用無散射、無包裹、無位錯的a軸釩酸釔籽晶接種后,采用“縮頸”工藝放肩生長,生長速度為0.5~2.0mm/h,晶轉速度為8~20rpm,生長20小時后,提起退火,退火降溫速率為10~80℃/小時,得到尺寸為28*34*18mm3的Nd:YVO4單晶,晶體重70g,用氦氖激光器和金相顯微鏡檢測晶體內部質量,晶體無散射、包裹和小角度晶界。
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