[發明專利]多間隙火花塞有效
| 申請號: | 201310674077.2 | 申請日: | 2013-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN103647218A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發明(設計)人: | 何惠元;李任 | 申請(專利權)人: | 何惠元;李任 |
| 主分類號: | H01T13/20 | 分類號: | H01T13/20 |
| 代理公司: | 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107 | 代理人: | 蘇家達 |
| 地址: | 541902 廣西壯*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 間隙 火花塞 | ||
技術領域
本發明涉及火花塞技術領域,具體涉及一種多間隙火花塞。
背景技術
現有當中的火花塞為一個主電極配置一個或多個過渡電極、及一個或多個側電極,主電極(也稱中心電極)、過渡電極和側電極相互平行,也有的過渡電極和/或側電極的上端向主電極方向延伸。如公告號為CN2912018Y的中國實用新型專利,直串級高能火花塞,包括中心電極和側電極,在中心電極和側電極之間還設有1個或2個直線狀過渡電極,其過渡電極露在瓷體外部的長度減少,進而減少了受熱面積,提高了過渡電極的使用壽命。還有如公開號為CN102780160A的中國發明專利,一種高能火花塞,包括側電極、過渡電極和中心電極,側電極的頂端和過渡電極的頂端的距離小于兩者相鄰面的距離,中心電極的頂端和過渡電極的頂端的距離小于兩者相鄰面的距離,這樣,在火花塞徑向尺寸限定的條件下,仍然可以增加跳火距離,且跳火間隙小,使氣缸內被壓縮燃氣能更充分燃燒。但兩個技術方案都采用了在電極的端點彎曲或增大橫截面的方法,減小跳火間隙,提高火花塞的可靠性,但一旦彎曲部分或增大橫截面損耗完了,電極間因跳火距離過大,則無法擊穿火花塞兩電極間空氣,進而無法產生火花引燃氣缸內的混合氣體,其使用壽命低。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種可靠性好、使用時間長的多間隙火花塞。
為實現上述技術問題,本發明采用以下技術方案:
多間隙火花塞,包括金屬殼體及設置在金屬殼體內的絕緣瓷芯,在金屬殼體上連接有與金屬殼體的軸向同向設置的側電極,在絕緣瓷芯內設有與絕緣瓷芯的軸向同向設置的主電極,在主電極和側電極之間設有導向電極,該導向電極橫向設置在絕緣瓷芯向上凸起的凸臺上、并且導向電極兩端露在凸臺外,導向電極的軸線分別與主電極和側電極垂直。
上述方案優選的,所述導向電極的上側端面低于或等于主電極的頂端端面。
為了減小導向電極因受熱而產生的損耗,所述凸臺的總高度為4-5mm。
上述方案優選的,所述導向電極的下側端面到凸臺底面的距離為2.5-3mm。
為了兼顧主電極和導向電極的導電絕緣性,及在點火時可以擊穿火花塞兩電極間空氣,所述主電極與導向電極最近一端相距0.2-0.5mm。
為了兼顧側電極和導向電極的導電絕緣性,及在點火時可以擊穿火花塞兩電極間空氣,所述側電極與導向電極最近一端相距0.2-0.5mm。
上述方案優選的,所述主電極的頂端為尖端朝上的錐形。
為了可以產生多點跳火火球,使燃氣缸內的混合氣體可以燃燒更充分,所述導向電極為1根或1根以上,每根導向電極均設置在一個凸臺上。
上述方案優選的,所述導向電極為并聯設置。
上述方案優選的,所述的主電極、導向電極和側電極并聯設置,且在同一平面內。
與現有技術相比,本發明利用導向電極增加火花塞的火點,使燃氣缸內的混合氣體可以燃燒更充分,并且導向電極橫向設置在絕緣瓷芯的凸臺上,不僅增大了導向電極與金屬殼體的絕緣性,更為重要的是導向電極與主電極和側電極相互垂直,且導向電極除兩端頭的端面外,其余部分均設置在絕緣瓷芯的凸臺內,其受熱面積小只為兩端頭的端面,極大減小了導向電極的燒蝕程度,延長了導向電極的使用時間,進而提高了火花塞的使用壽命,使用時間達到40000小時;另外,主電極和側電極均為直線形,均保持與導向電極的距離,其可靠性高。
附圖說明
圖1為本發明一種實施例的部分剖視圖;
圖2為本發明另一種實施例的部分剖視圖;
圖中標號為:1、主電極;2、導向電極;3、側電極;4、絕緣瓷芯;5、金屬殼體;6、凸臺。
具體實施方式
如圖1所示,本發明一種多間隙火花塞,包括圓柱形金屬殼體5及設置在金屬殼體5內的絕緣瓷芯4,在金屬殼體5上連接有與金屬殼體5的軸向同向設置的側電極3,在絕緣瓷芯4內設有與絕緣瓷芯4的軸向同向設置的主電極1,所述主電極1和側電極3相互平行。在主電極1和側電極3之間設有導向電極2,該導向電極2橫向設置在絕緣瓷芯4向上凸起的凸臺6上、并且導向電極2兩端露在凸臺6外,導向電極2的軸線與主電極1和側電極3相互垂直。所述的主電極1、導向電極2和側電極3并聯設置,均在同一平面內。
所述導向電極2的上側端面可以低于主電極1的頂端端面,也可以與主電極1的頂端端面等高,甚至高于主電極1的頂端端面,在本優選實施方式中,導向電極2的上側端面與主電極1的頂端端面等高。
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