[發(fā)明專利]一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310674037.8
• 申請(qǐng)日: 2013-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN104716154B
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李南征;茍琦;卜維亮;王磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山國(guó)顯光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

本發(fā)明所述的一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，有機(jī)發(fā)光二極管中的第一電極層與所述電容器中電容下電極同層以同種材料形成，薄膜晶體管中的源/漏電極層與所述電容器中的電容上點(diǎn)擊同層以同種材料形成，電容介質(zhì)層獨(dú)立制備，可根據(jù)所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的需求進(jìn)行電容介質(zhì)層材料與厚度的優(yōu)化選擇，以減少電容器的面積，增大所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的開口率。本發(fā)明所述的一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制備方法，在未增加工藝步驟的前提下就可以實(shí)現(xiàn)電容器的制備，工藝簡(jiǎn)單；而且避免了離子注入工序，有效簡(jiǎn)化了制備工藝，提高了產(chǎn)品良率，降低了制備成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種新型有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制備方法。

背景技術(shù)

有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置（英文全稱Active Matrix Organic LightingEmitting Display，簡(jiǎn)稱AMOLED）作為有機(jī)發(fā)光顯示裝置中的一種，利用薄膜晶體管（英文全稱Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱TFT），搭配電容存儲(chǔ)信號(hào)，來控制有機(jī)發(fā)光二極管的亮度和灰階表現(xiàn)。每個(gè)單獨(dú)的有機(jī)發(fā)光二極管具有完整的陰極、有機(jī)功能層和陽極，陽極覆蓋一個(gè)薄膜晶體管陣列，形成一個(gè)矩陣。有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有可大尺寸化、省電、解析度高、面板壽命較長(zhǎng)等特點(diǎn)，因此在顯示技術(shù)領(lǐng)域得到了高度重視。

隨著顯示面板的大尺寸化，顯示裝置的功耗越來越高，研究發(fā)現(xiàn)增大存儲(chǔ)電容能起到有效增大驅(qū)動(dòng)階段的電流進(jìn)而降低功耗的作用；另外，增大存儲(chǔ)電容還能有效降低引起顯示屏閃爍、灰度錯(cuò)亂等問題的跳變電壓。因此，在不影響顯示裝置開口率的條件下，應(yīng)盡量提高電容值。

多晶硅由于其場(chǎng)效應(yīng)遷移率高并且適應(yīng)于高速操作電路和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體電路等特點(diǎn)而被廣泛用作TFT的半導(dǎo)體層。在使用多晶硅作為TFT半導(dǎo)體層的AMOLED器件中，通常會(huì)在部分多晶硅層中施以參雜離子，使之電極化作為電容的下極板，以達(dá)到減少工藝流程的目的；再以柵極絕緣層和柵極層分別作為電容介質(zhì)層和電容上極板，同時(shí)實(shí)現(xiàn)TFT制程和電容制程。

但是，上述工藝存在很多問題，例如：多晶硅層在制備過程中表面會(huì)形成大量的結(jié)晶突起，為了達(dá)到有效的柵極絕緣，再加上結(jié)晶突起的厚度，柵極絕緣層的厚度通常都無法有效降低，一般為100nm左右，因此無法通過降低介質(zhì)層厚度的方式提高存儲(chǔ)電容數(shù)值；另外，二氧化硅薄膜具有良好的絕緣性，同時(shí)它與多晶硅表面接觸的表面態(tài)密度又很低，所以最常用作為柵極絕緣層，但是二氧化硅的介電常數(shù)很低，作為電容介質(zhì)層使用時(shí)，相應(yīng)電容的數(shù)值較低。為此，為了實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)電容數(shù)值的增加，只能通過增大電容面積的方法實(shí)現(xiàn)，大大降低了顯示裝置的開口率，影響顯示裝置的使用效果。

同時(shí)，該工藝需要對(duì)電容區(qū)域的多晶硅層進(jìn)行摻雜，使之電極化，該過程需要離子注入和掩膜兩道工序，工藝復(fù)雜，制備成本高。

發(fā)明內(nèi)容

為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光顯示裝置中開口率低、工藝復(fù)雜的問題，提供一種開口率高、工藝簡(jiǎn)單的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制備方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明所述的一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括

基板；

薄膜晶體管，包括半導(dǎo)體層、柵極層、源/漏電極層，以及隔離半導(dǎo)體層和柵極層、隔離柵極層和源/漏電極層的一層或多層絕緣層；

電容器，包括電容上電極、電容介質(zhì)層、電容下電極；

有機(jī)發(fā)光二極管，包括第一電極層、有機(jī)發(fā)光層和第二電極層；

第一電極層與源/漏電極層中的源極或漏極電連接；

所述第一電極層與所述電容下電極同層以同種材料形成，所述源/漏電極層與所述電容上電極同層以同種材料形成。