[發(fā)明專利]高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310673941.7
• 申請(qǐng)日: 2013-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN103746685A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓煦;成海峰;徐建華;周昊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
• 主分類號(hào): H03K19/0185
• 分類號(hào): H03K19/0185
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及脈沖調(diào)制器，更為具體地說，是涉及一種高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器。

背景技術(shù)

在微波、毫米波電路中，脈沖調(diào)制器被廣泛應(yīng)用于微波功率放大電路中。從六七十年代到現(xiàn)今階段，已經(jīng)涌現(xiàn)了關(guān)于脈沖調(diào)制器的大量研究成果，并且這些成果已經(jīng)光廣泛應(yīng)用于微波工程技術(shù)領(lǐng)域。傳統(tǒng)的微波功率放大器脈沖調(diào)制器脈沖后沿存在拖尾現(xiàn)象，微波功率放大器工作電壓較低時(shí)后沿拖尾不明顯，對(duì)效率影響不明顯，當(dāng)微波功率放大器工作電壓較高時(shí)（如GaN功率放大器），拖尾現(xiàn)象非常明顯，大大降低微波功率放大器工作效率。因而，更高效率的平面高功率合成器在業(yè)界備受關(guān)注。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，發(fā)明一種高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器。此脈沖調(diào)制器不僅效率高，且電路簡(jiǎn)單成本低廉，可應(yīng)用于微波功率放大器中。

本發(fā)明通過如下技術(shù)手段加以實(shí)現(xiàn)：一種新型高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器，包括高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、高壓側(cè)MOSFET、低壓側(cè)MOSFET、二極管、電容、供電端口VCC、輸入脈沖信號(hào)TTL、漏極加電信號(hào)VDD，

高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸出端分別連接高壓側(cè)MOSFET與低壓側(cè)MOSFET的柵極，輸入脈沖信號(hào)TTL連接高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸入端，供電接口VCC連接高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的VCC端，漏極加電信號(hào)VDD連接高壓側(cè)MOSFET的漏極，高壓側(cè)MOSFET源極與低壓側(cè)MOSFET漏極相連，高壓側(cè)MOSFET源極同時(shí)與負(fù)載連接，在供電接口VCC與高壓側(cè)MOSFET源極之間并聯(lián)二極管及電容，在電容兩端并聯(lián)高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的VB端及Vs端。

高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器HVIC輸出與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器LVIC輸出相位相反。

本發(fā)明具有以下有益效果：本文與現(xiàn)有技術(shù)相比，該調(diào)制器可驅(qū)動(dòng)高電壓工作的GaN功放，脈沖前后沿較好，后沿?zé)o拖尾，效率高,特別適用在GaN脈沖功率放大器中。

附圖說明

圖1是本發(fā)明所述高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器原理圖。

圖2是本發(fā)明所述高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器測(cè)試結(jié)果示意圖。

具體實(shí)施方式

本實(shí)施例為高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器。其結(jié)構(gòu)如圖1所示，一種新型高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器，包括高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、高壓側(cè)MOSFET、低壓側(cè)MOSFET、二極管、電容、供電端口VCC、輸入脈沖信號(hào)TTL、漏極加電信號(hào)VDD；

高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸出端分別連接高壓側(cè)MOSFET與低壓側(cè)MOSFET的柵極，輸入脈沖信號(hào)TTL連接高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸入端，供電接口VCC連接高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的VCC端，漏極加電信號(hào)VDD連接高壓側(cè)MOSFET的漏極，高壓側(cè)MOSFET源極與低壓側(cè)MOSFET漏極相連，高壓側(cè)MOSFET源極同時(shí)與負(fù)載連接，在供電接口VCC與高壓側(cè)MOSFET源極之間并聯(lián)二極管及電容，在電容兩端并聯(lián)高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的VB端及Vs端。且高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器HVIC輸出與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器LVIC輸出相位相反。

本實(shí)施例所述高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器測(cè)試結(jié)果如圖2所示。由于本實(shí)施例的主要特點(diǎn)是脈沖后沿好，所以圖2只提供了脈沖波形后沿的示波器照片。從圖2可以看出：脈沖后沿為41ns。