[發(fā)明專(zhuān)利]集成電路組件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310673831.0
• 申請(qǐng)日: 2010-10-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103762236A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡明桓;歐陽(yáng)暉;鄭振輝;范瑋寒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/78;H01L29/08;H01L27/092
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

1.一種集成電路組件，其特征在于，包含：

一半導(dǎo)體基材；

一柵極堆疊，位于所述半導(dǎo)體基材上方；

另一柵極堆疊，位于所述半導(dǎo)體基材上方；

多個(gè)間隙壁，位于所述柵極堆疊的多個(gè)側(cè)壁上；

一輕摻雜源極與漏極區(qū)，位于所述半導(dǎo)體基材中，且所述輕摻雜源極與漏極區(qū)位于所述柵極堆疊的兩側(cè)；

另一輕摻雜源極與漏極區(qū)，位于所述半導(dǎo)體基材中且鄰設(shè)于所述另一柵極堆疊；

一磊晶成長(zhǎng)源極與漏極區(qū)，位于所述半導(dǎo)體基材中，所述磊晶成長(zhǎng)源極與漏極區(qū)位于所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，且部分位于所述間隙壁的下方，

其中所述磊晶成長(zhǎng)源極與漏極區(qū)中的磊晶源極區(qū)與磊晶漏極區(qū)均由朝一第一方向的所述半導(dǎo)體基材的一第一刻面與一第二刻面、以及朝一第二方向的所述半導(dǎo)體基材的一第三刻面所定義出；以及

一抬升的磊晶成長(zhǎng)源極與漏極區(qū)，位于所述半導(dǎo)體基材中，所述抬升的磊晶成長(zhǎng)源極與漏極區(qū)形成于所述另一輕摻雜源極與漏極區(qū)的上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路組件，其特征在于，所述半導(dǎo)體基材的一上表面從所述柵極堆疊的所述側(cè)壁的一者延伸一距離至所述磊晶成長(zhǎng)源極與漏極區(qū)，所述距離為1nm至3nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路組件，其特征在于，包含介于所述半導(dǎo)體基材的一上表面與所述第一刻面和所述第二刻面的一交點(diǎn)之間的一距離，所述距離為5nm至10nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路組件，其特征在于，所述第一刻面與所述第二刻面是位于所述半導(dǎo)體基材的一{111}結(jié)晶面中，且所述第三刻面是位于所述半導(dǎo)體基材的一{100}結(jié)晶面中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路組件，其特征在于，所述間隙壁包含偏移間隙壁位于所述柵極堆疊的多個(gè)側(cè)壁上，以及主間隙壁設(shè)于所述偏移間隙壁上。

6.一種集成電路組件，其特征在于，包含：

一半導(dǎo)體基材；

一淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體基材之中，以將所述半導(dǎo)體基材電性隔離為數(shù)個(gè)組件區(qū)；

一柵極結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體基材上方,所述柵極結(jié)構(gòu)包含一柵極堆疊以及多個(gè)間隙壁，鄰設(shè)于所述柵極堆疊的側(cè)壁上；

另一柵極結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體基材上方；

一輕摻雜源極與漏極區(qū)，位于所述半導(dǎo)體基材中，且所述輕摻雜源極與漏極區(qū)位于所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)；

另一輕摻雜源極與漏極區(qū)，位于所述半導(dǎo)體基材中且位于所述另一柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，其中所述另一輕摻雜源極與漏極區(qū)由所述另一柵極結(jié)構(gòu)延伸至所述淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)；以及

一磊晶成長(zhǎng)源極與漏極區(qū)，位于所述半導(dǎo)體基材中，所述磊晶成長(zhǎng)源極與漏極區(qū)位于所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，其中所述磊晶成長(zhǎng)源極與漏極區(qū)中的磊晶源極區(qū)與磊晶漏極區(qū)均由朝一第一方向的所述半導(dǎo)體基材的一第一刻面與一第二刻面、以及朝一第二方向的所述半導(dǎo)體基材的一第三刻面所定義出。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路組件，其特征在于，所述半導(dǎo)體基材的一上表面從所述柵極堆疊的所述側(cè)壁的一者延伸一距離至所述磊晶成長(zhǎng)源極與漏極區(qū)，所述距離為1nm至3nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路組件，其特征在于，包含介于所述半導(dǎo)體基材的一上表面與所述第一刻面和所述第二刻面的一交點(diǎn)之間的一距離，所述距離為5nm至10nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路組件，其特征在于，所述第一刻面與所述第二刻面是位于所述半導(dǎo)體基材的一{111}結(jié)晶面中，且所述第三刻面是位于所述半導(dǎo)體基材的一{100}結(jié)晶面中。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路組件，其特征在于，所述間隙壁包含偏移間隙壁鄰設(shè)于所述柵極堆疊的側(cè)壁上，以及主間隙壁設(shè)于所述偏移間隙壁上。