[發明專利]一種中高壓肖特基二極管芯片結構及其制備方法

無效

• 申請號: 201310673011.1
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN103633151A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 陳海洋;王云峰;董彬;石會平
• 申請（專利權）人: 天津中環半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/28
• 代理公司: 天津中環專利商標代理有限公司 12105
• 代理人: 王鳳英

1.一種中高壓肖特基二極管芯片結構，其特征在于：在所述的中高壓肖特基二極管芯片結構中，P型擴散區（104）寬度為25~40um；金屬場版（108）的寬度為25~35um；硅襯底（101）上表面具有的外延（102）厚度為16~30um；電阻率為2~5ohm.cm。

2.根據權利要求1所述的中高壓肖特基二極管芯片結構，其特征在于：對于150V的肖特基二極管，硅襯底（101）上表面具有的外延（102）厚度為16~20um；電阻率為2~3ohm.cm。

3.根據權利要求1所述的中高壓肖特基二極管芯片結構，其特征在于：對于200V的肖特基二極管，硅襯底（101）上表面具有的外延（102）厚度為23~30um；電阻率為3~5ohm.cm。

4.一種根據權利要求1所述的中高壓肖特基二極管芯片結構的制備方法，其特征在于：通過濕法氧化，在P型區注入前形成厚度為650埃的犧牲氧化硅。

5.根據權利要求4所述的一種中高壓肖特基二極管芯片結構的制備方法，其特征在于：在P型區域，注入雜質數量1X10¹⁴。

6.根據權利要求5所述的一種中高壓肖特基二極管芯片結構的制備方法，其特征在于：通過濕法氧化、推進形成P型區深度為8um。

7.根據權利要求6所述的一種中高壓肖特基二極管芯片結構的制備方法，其特征在于：在勢壘金屬蒸發前，采用雙氧水對硅片表面顆粒雜質進行清洗。