[發明專利]高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制備方法

有效

• 申請號: 201310672477.X
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN103744212A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 楊洪寶;李超;王緒豐;樊衛華;鐵斌;陳建軍;余雷
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 徐冬濤;瞿網蘭

1.一種高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制備方法，其特征是它包括以下步驟：

1）選擇SOI硅片作為驅動背板的制作基板，所述的SOI硅片由襯底硅層、二氧化硅絕緣層和器件硅層構成，器件硅層位于頂層，二氧化硅絕緣層位于襯底硅層和器件硅層之間；

2）在器件硅層上制作IC驅動電路及像素單元晶體管電路，并在電路的底層金屬布線層上加入光刻套刻標記，得到有源驅動背板；

3）將有源驅動背板通過臨時粘接膠與表面處理過的臨時基板粘接；

?4）先通過機械減薄，再通過選擇性刻蝕將襯底硅層去除掉；?

5）在露出的二氧化硅絕緣層上制備鉻/氧化鉻遮光層；

6）通過光刻套刻及選擇性刻蝕圖形化遮光層，露出需要透光的部分，在對應像素單元之間形成遮光線條；

7）將有源驅動背板轉移到透明基板并且固定，去掉臨時基板，形成有遮光功能的透明有源驅動背板；

8）將有遮光功能的透明有源驅動背板和另外一塊透明基板貼合，完成高對比度透射式硅基液晶微顯示屏的制作。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征是所述的二氧化硅絕緣層的厚度為0.4~1μm，器件硅層厚度為0.2~1.0μm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征是有源驅動背板包括像素單元晶體管陣列和周邊驅動控制電路部分。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征是所述的套刻標記置于IC驅動電路的底層金屬布線層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征是所述的粘接是SOI硅片與表面處理過的臨時基板的臨時粘接。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征是所述的機械減薄為帶有邊緣切邊的機械減薄，終止厚度為50-100μm。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征是所述的選擇性刻蝕為等離子體干法ICP刻蝕，并利用二氧化硅絕緣層作為硅刻蝕的終止層，完成襯底硅的去除。