[發(fā)明專利]高效率雙玻太陽能組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310671372.2 | 申請日: | 2013-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN103681916A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊柳;賀姿娟 | 申請(專利權)人: | 中山市伊奇五金機械制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/0216;C03C17/23 |
| 代理公司: | 中山市銘洋專利商標事務所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 吳劍鋒 |
| 地址: | 528400 廣東省中山市火*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高效率 太陽能 組件 | ||
1.高效率雙玻太陽能組件,其特征在于:包括有普通白玻璃(1),在所述普通白玻璃(1)上設有下層PVB膠片(2),在所述下層PVB膠片(2)上設有晶硅電池組(3),在所述晶硅電池組(3)上設有上層PVB膠片(4),在所述上層PVB膠片(4)上設有超白壓花鍍膜玻璃(5)。
2.根據權利要求1所述的高效率雙玻太陽能組件,其特征在于所述的超白壓花鍍膜玻璃(5)包括有超白壓花玻璃(51),在所述超白壓花玻璃(51)上磁控濺射有Nb2O5薄膜層(52),在所述Nb2O5薄膜層(52)上磁控濺射有SiO2薄膜層(53),在所述SiO2薄膜層(53)上磁控濺射有TiO2薄膜層(54)。
3.根據權利要求2所述的高效率雙玻太陽能組件,其特征在于所述超白壓花玻璃(51)的厚度為3mm。
4.根據權利要求2所述的高效率雙玻太陽能組件,其特征在于所述Nb2O5薄膜層(52)的厚度為20~30nm。
5.根據權利要求2所述的高效率雙玻太陽能組件,其特征在于所述SiO2薄膜層(53)的厚度為20~30nm。
6.根據權利要求2所述的高效率雙玻太陽能組件,其特征在于所述TiO2薄膜層(54)的厚度為20~30nm。
7.根據權利要求1所述的高效率雙玻太陽能組件,其特征在于所述普通白玻璃(1)的厚度為6mm。
8.根據權利要求1所述的高效率雙玻太陽能組件,其特征在于所述下層PVB膠片(2)的厚度為0.76mm。
9.根據權利要求1所述的高效率雙玻太陽能組件,其特征在于所述上層PVB膠片(4)的厚度為0.76mm。
10.根據權利要求1所述的高效率雙玻太陽能組件,其特征在于所述超白壓花鍍膜玻璃(5)的厚度為3mm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中山市伊奇五金機械制造有限公司,未經中山市伊奇五金機械制造有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310671372.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





