[發明專利]開關

有效

• 申請號: 201310670103.4
• 申請日: 2013-12-10
• 公開（公告）號: CN103871794A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 渡邊真也;信太秀夫;小倉健太郎;幸本茂樹;相良雄大
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01H73/18
• 分類號: H01H73/18;H01H9/44
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 呂曉陽

技術領域

本發明涉及能夠用于配線用斷路器、漏電斷路器等、對在觸點之間產生的電弧進行消弧并將電路斷開的開關。

背景技術

作為以往的開關，存在有如下的電路斷路器，該電路斷路器一體形成有由磁性體構成的U字狀的磁軛和用于對電弧進行換向的消弧角（arcing?horn），通過不與可動觸頭的可動范圍重合地以從兩個方向覆蓋固定觸點和處于閉合狀態的可動觸頭的方式配置磁軛，能夠強化作用于電弧或者可動觸頭的電磁力，將電弧從觸點上迅速地引離（例如，參照專利文獻1）。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平8-227648號公報（第7頁，圖1）

發明內容

發明要解決的課題

在上述那樣的以往的開關中，利用磁通使因流過固定觸頭的電流而產生的電弧向消弧角換向，并通過使磁軛和消弧角形成為一體而形成磁回路，由于上述磁通因上述磁回路而發生迂回，所以上述磁通不對電弧產生作用，不能夠充分地獲得強化使電弧換向的電磁力的效果。因此，在難以從觸點上引離電弧的數百A以上的過載電流區域以及數kA以上的短路電流區域，電弧長時間粘著在觸點上，引起觸點劣化。由此，接觸電阻增大，有時引起觸點間的溫度上升。另外，即使使電弧從觸點上向消弧角換向，由于在消弧角與磁軛之間形成磁回路、電弧被向磁軛側吸引，因此也存在電弧被引回觸點上，導致觸點劣化或截斷可靠性降低的可能性。此外，在磁軛上，由于在數kA以上的短路電流區域中因電流而產生的磁通密度升高、引起磁飽和，所以提高由磁軛產生的使電弧向消弧角換向的電磁力的效果降低，存在不能夠作用充分的電磁力、不但觸點劣化而且截斷可靠性也降低的課題。

本發明就是為了解決上述那樣的以往技術課題而提出的，其目的在于提供一種開關，該開關即便一體地構成磁軛和消弧角，即使在流過數百A至數kA以上的電流的情況下，也能夠向可動觸頭或者電弧作用充分的電磁力，能夠抑制觸點的劣化、提高截斷的可靠性。

本發明的開關具有：第一觸頭，該第一觸頭設置有能夠接觸或分離地設置的一對觸點中的一個觸點，在到達上述一個觸點的電路中形成有排斥電路以及吸引電路；第二觸頭，該第二觸頭設置有上述一對觸點中的另一個觸點；以及磁軛型消弧角，該磁軛型消弧角通過磁性體一體地形成有以與形成在上述一個觸點上的電弧產生空間的至少一部分相向的方式設置的磁軛部、和與上述排斥電路電連接的消弧角部，在連接上述磁軛部和上述消弧角部的磁路中夾設有使磁阻變高的截面積縮小部。

另外，本發明的開關具有：第一觸頭，該第一觸頭設置有能夠接觸或分離地設置的一對觸點中的一個觸點，在到達上述一個觸點的電路中形成有排斥電路以及吸引電路；第二觸頭，該第二觸頭設置有上述一對觸點中的另一個觸點；消弧柵，該消弧柵設置于能夠使在斷開時在上述一對觸點相互之間產生的電弧消弧的位置；磁軛型消弧板，該磁軛型消弧板通過磁性體一體地形成有以與形成在上述一個觸點之上的電弧產生空間的至少一部分相向的方式設置的磁軛部、和用于對電弧進行消弧的消弧部，在連接上述磁軛部與上述消弧部的磁路中夾設有用于使磁阻變高的截面積縮小部；以及由絕緣物構成的電弧保護罩，該電弧保護罩在上述磁軛部的相對于電弧的露出面的至少一部分，用于將上述第一觸頭和上述磁軛部與電弧隔離。

發明的效果

在本發明中，磁軛型消弧角一體地形成有磁軛部和消弧角部，在磁軛部與消弧角部之間設置有使磁阻變高的截面積縮小部，因此即使在例如數百A至數kA以上的寬的電流區域中，也能夠提高使電弧向消弧角換向的電磁力，能夠抑制觸點的劣化并提高截斷可靠性。另外，由于部件數量不增加，所以能夠在不提高成本的情況下強化性能。

附圖說明

圖1是側視圖，表示本發明實施方式1的開關的斷開狀態下的機構部以及繼電部和消弧室部分的主要部分結構。

圖2是組裝立體圖，表示本發明實施方式1的開關的斷開狀態下的消弧室部分的主要部分結構。

圖3是說明圖，通過與以往的情況進行比較而表示本發明實施方式1的由磁軛型消弧角形成的磁回路。

圖4是表示本發明實施方式2的開關中的磁軛型消弧板以及電弧保護罩附近的主要部分結構的圖，（a）為側視截面圖，（b）為沿圖4（a）的IVb-IVb線的截面圖。

圖5是表示圖4所示的磁軛型消弧板的立體圖。

圖6是在消弧室部的寬度方向的中央切斷的截面圖，表示本發明實施方式3的開關中的磁軛型消弧角以及電弧保護罩附近的主要部分結構。