[發明專利]固態圖像拾取裝置、固態圖像拾取裝置的制造方法和電子設備

無效

• 申請號: 201310669649.8
• 申請日: 2013-12-10
• 公開（公告）號: CN103904090A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 宮波勇樹
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 梁興龍;陳桂香

1.一種固態圖像拾取裝置，包括：

半導體基板；

在所述半導體基板內針對各像素形成的第一導電型的半導體層；

在所述半導體基板的表面部分中面向所述半導體層形成的第二導電型的固相擴散層；以及

含有第二導電型的雜質元素并通過原子層沉積法形成的氧化物膜。

2.根據權利要求1所述的固態圖像拾取裝置，還包括：

在所述半導體基板內包含所述半導體層的光電二極管；以及

被構造成從所述光電二極管讀出信號電荷的像素晶體管。

3.根據權利要求2所述的固態圖像拾取裝置，還包括

在所述半導體基板上的被構造成轉移在所述半導體層中產生的電荷的電荷轉移電極，其中

所述氧化物膜覆蓋所述電荷轉移電極的側面。

4.根據權利要求2所述的固態圖像拾取裝置，其中所述氧化物膜起到側壁的作用。

5.根據權利要求1所述的固態圖像拾取裝置，其中第一導電型是n型，并且第二導電型是p型。

6.根據權利要求1所述的固態圖像拾取裝置，其中所述氧化物膜是含有硼的硅氧化物膜。

7.根據權利要求6所述的固態圖像拾取裝置，其中在所述氧化物膜的一部分或全部上疊置氮化硅膜。

8.一種固態圖像拾取裝置的制造方法，所述方法包括：

在半導體基板內針對各像素形成第一導電型的半導體層；

在所述半導體基板上通過原子層沉積法形成含有第二導電型的雜質元素的氧化物膜；以及

在所述半導體基板的表面部分中形成面向所述半導體層的第二導電型的固相擴散層。

9.根據權利要求8所述的方法，其中在形成所述固相擴散層時，通過實施退火處理進行從所述氧化物膜擴散到所述半導體基板的表面部分上的所述雜質元素的固相擴散。

10.根據權利要求9所述的方法，其中在所述退火處理之前，在所述半導體基板的表面部分中實施第二導電型的雜質元素的低劑量離子注入。

11.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在形成所述固相擴散層之后，

去除所述氧化物膜；以及

在所述半導體基板上形成其他氧化物膜。

12.根據權利要求8所述的方法，其中第一導電型是n型，并且第二導電型是p型。

13.根據權利要求8所述的方法，其中所述氧化物膜是含有硼的硅氧化物膜。

14.一種具有固態圖像拾取裝置的電子設備，所述固態圖像拾取裝置包括：

半導體基板；

在所述半導體基板內針對各像素形成的第一導電型的半導體層；

在所述半導體基板的表面部分中面向所述半導體層形成的第二導電型的固相擴散層；以及

含有第二導電型的雜質元素并通過原子層沉積法形成的氧化物膜。