[發明專利]絕緣基板上制作導電線路的方法以及該方法制作的電路板在審
| 申請號: | 201310669547.6 | 申請日: | 2013-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN103857189A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 陳華 | 申請(專利權)人: | 深圳市瑞豐光電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/00 | 分類號: | H05K3/00;H05K1/02 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣 基板上 制作 導電 線路 方法 以及 電路板 | ||
1.一種絕緣基板上制作導電線路的方法,其特征在于:包括如下步驟:
取一絕緣基板,在該絕緣基板表面沉積ZnO薄膜或摻雜雜質的ZnO薄膜;
在ZnO薄膜上涂設光刻膠層,取預先制作有線路圖形的底片覆蓋于光刻膠層上,然后對其進行曝光;
曝光后,去掉該底片,采用顯影藥水處理所述光刻膠層,剩余的光刻膠層形成線路圖形,并裸露出被處理的光刻膠層所覆蓋的ZnO薄膜;
蝕刻裸露的ZnO薄膜,并去掉剩余的光刻膠層,露出剩余的ZnO薄膜;
將所述絕緣基板置于電解槽內,調節電鍍參數,于剩余的ZnO薄膜表面形成導電層。
2.如權利要求1所述的絕緣基板上制作導電線路的方法,其特征在于:在所述絕緣基板上制作ZnO薄膜時,采用化學氣相沉積法將ZnCl2氣體吸附于所述絕緣基板的表面,并將多余的ZnCl2氣體進行清除,向所述絕緣基板補充H2O氣體,H2O氣體與所述絕緣基板上吸附的ZnCl2氣體反應生成ZnO薄膜,清除多余的H2O氣體以及反應生成的HCl氣體。
3.如權利要求1所述的絕緣基板上制作導電線路的方法,其特征在于:在將剩余的光刻膠層去掉之后且在將絕緣基板置于電解槽之前,將絕緣基板以及剩余的ZnO薄膜進行等離子清洗。
4.如權利要求1所述的絕緣基板上制作導電線路的方法,其特征在于:所述電鍍參數包括電流密度、鍍液密度以及鍍液溫度。
5.一種電路板,包括絕緣基板,其特征在于:所述絕緣基板的上表面覆蓋有第一ZnO薄膜層,所述第一ZnO薄膜層形成第一線路圖形,于所述第一ZnO薄膜層上還鍍設有第一導電層。
6.如權利要求5所述的電路板,其特征在于:所述絕緣基板的下表面還覆蓋有第二ZnO薄膜層,所述第二ZnO薄膜層形成第二線路圖形,所述第二ZnO薄膜層上鍍設有第二導電層。
7.如權利要求6所述的電路板,其特征在于:所述第一ZnO薄膜層與所述第二ZnO薄膜層之間通過若干通孔連接,且各所述通孔內壁鍍設有第三導電層,且所述第三導電層與所述第一導電層以及所述第二導電層均電性連接。
8.如權利要求7所述的電路板,其特征在于:于所述第一導電層與所述第二導電層上分別設有用于防止焊料流入所述通孔內的若干擋套,每一所述擋套圍設其中一所述通孔。
9.如權利要求6所述的電路板,其特征在于:所述第一導電層的表面與所述第二導電層的表面還均涂設有防氧化層。
10.如權利要求5所述的電路板,其特征在于:所述絕緣基板為多孔陶瓷板。
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