[發明專利]NOR型存儲器電路及操作方法

在審

• 申請號: 201310669476.X
• 申請日: 2013-12-10
• 公開（公告）號: CN104700893A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 張可鋼;陳華倫
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/14;G11C16/26
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種NOR型存儲器電路，其特征在于：存儲單元由3個晶體管組成，包含第一、第二存儲管和一個選擇管，所述第一、第二存儲管的漏端接位線，其源端分別連接所述選擇管的源、漏端；所述第一、第二存儲管的柵極分別引出為第一、第二存儲管字線，所述選擇管的柵極引出為選擇管字線；所述存儲管的源端還分別引出存儲單元的第一、第二源線端。

2.如權利要求1所述的NOR型存儲器電路，其特征在于：所述的存儲管是使用浮柵結構的晶體管，或者是ONO結構的晶體管。

3.如權利要求1所述的NOR型存儲器電路的操作方法，所述存儲管是存儲0或者1兩種狀態，分別對應于存儲管的關斷或者開啟，或者是開啟與關斷；存儲單元的操作分為擦除、編程及讀取三種，擦除是使存儲管處于0狀態，編程是對存儲管進行數據寫入，寫入數據包括0或1兩種狀態，讀取是根據存儲管的關斷或開啟來對存儲管進行數據讀取，VH表示高電平，VL表示低電平，Vd是系統電源電壓；所述操作方法，對一存儲單元中的兩個存儲管和一個選擇管，其特征在于：

對第一存儲管的操作：

擦除時：位線為高電平VH，第一存儲管字線為地電位，第一源線為懸空態，選擇管字線為地電位，第二源線為懸空態，第二存儲管字線為高電平VH；

寫入數據0時：位線為低電壓VL，第一存儲管字線為高電平VH，第一源線為懸空態，選擇管字線為地電位，第二源線為懸空態，第二存儲管字線為低電平VL；

寫入數據1時：位線為地電位，第一存儲管字線為高電平VH，第一源線為懸空態，選擇管字線為地電位，第二源線為懸空態，第二存儲管字線為低電平VL；

讀取數據時：位線為電源電壓Vd，第一存儲管字線為地電位，第一源線為地電位，選擇管字線為地電位，第二源線為懸空態，第二存儲管字線為地電位；

對第二存儲管的操作：

擦除時：位線為高電平VH，第一存儲管字線為高電平VH，第一源線為懸空態，選擇管字線為地電位，第二源線為懸空態，第二存儲管字線為地電位；

寫入數據0時：位線為低電平VL，第一存儲管字線為低電平VL，第一源線為懸空態，選擇管字線為地電位，第二源線為懸空態，第二存儲管字線為高電平VH；

寫入數據1時：位線為地電位，第一存儲管字線為低電平VL，第一源線為懸空態，選擇管字線為地電位，第二源線為懸空態，第二存儲管字線為高電平VH；

讀取數據時：位線為電源電壓Vd，第一存儲管字線為地電位，第一源線為懸空態，選擇管字線為地電位，第二源線為地電位，第二存儲管字線為地電位。

4.如權利要求3所述的NOR型存儲器電路的操作方法，其特征在于：所述高電平VH是對存儲管能進行隧穿操作的高電壓，電壓范圍在7～20V；低電平VL是寫入數據0時的保護電壓，此電壓下不發生隧穿，電壓范圍為高電平VH的0.25～0.7倍；電源電壓Vd為1.8V，或3.3V，或5V。