[發明專利]半導體器件和形成具有垂直互連單元的低輪廓扇出式封裝的方法

有效

• 申請號: 201310669363.X
• 申請日: 2013-12-11
• 公開（公告）號: CN103943553B
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: P.C.馬里穆圖;沈一權;林耀劍;崔源璟
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬紅梅;馬永利

1.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供半導體管芯；

鄰近所述半導體管芯設置第一模塊化互連單元；

在所述第一模塊化互連單元上形成導電凸塊；

將底部填充點設置在所述半導體管芯上；以及

將半導體部件設置在所述半導體管芯和所述第一模塊化互連單元上，其中所述底部填充點支撐所述半導體部件的第一側，并且所述導電凸塊支撐所述半導體部件的與所述第一側相對的第二側。

2.根據權利要求1的方法，還包括沿所述半導體管芯的第一和第二相鄰側以L形形成所述第一模塊化互連單元。

3.根據權利要求1的方法，還包括鄰近所述半導體管芯的與所述第一模塊化互連單元相對的側表面設置第二模塊化互連單元。

4.根據權利要求1的方法，其中所述第一模塊化互連單元包括被形成通過芯襯底的多個導電通孔。

5.根據權利要求1的方法，還包括：

在所述半導體管芯以及所述第一模塊化互連單元上形成絕緣層；以及

在所述第一模塊化互連單元上形成通過所述絕緣層的多個通孔。

6.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供第一半導體管芯；

將所述第一半導體管芯直接設置在載體上；

鄰近所述第一半導體管芯將第一模塊化互連單元直接設置在所述載體上；

將密封劑沉積在所述第一半導體管芯和所述第一模塊化互連單元上；

在沉積所述密封劑之后移除所述載體；以及

在移除所述載體之后將第二半導體管芯設置在所述第一半導體管芯和所述第一模塊化互連單元上，其中所述第一半導體管芯延伸到所述第二半導體管芯的覆蓋區之外。

7.根據權利要求6的方法，還包括：

在所述第一半導體管芯和所述第一模塊化互連單元上形成第一導電層。

8.根據權利要求6的方法，其中所述第一模塊化互連單元包括：

被形成通過芯襯底的多個導電通孔。

9.根據權利要求6的方法，其中所述第一模塊化互連單元包括沿所述第一半導體管芯的第一和第二相鄰側設置的L形。

10.一種半導體器件，包括：

半導體管芯；

第一模塊化互連單元，其是鄰近所述半導體管芯設置的；

導電凸塊，其被設置在所述第一模塊化互連單元上；

底部填充材料，其被設置在所述半導體管芯上；以及

半導體部件，其被設置在所述半導體管芯和所述第一模塊化互連單元上以及在所述第一模塊化互連單元和所述半導體管芯的覆蓋區內，其中所述半導體管芯延伸到所述半導體部件的覆蓋區之外，并且其中所述底部填充材料在所述半導體管芯上支撐所述半導體部件的第一側，并且所述導電凸塊在所述第一模塊化互連單元上支撐所述半導體部件的第二側。

11.根據權利要求10的半導體器件，其中所述第一模塊化互連單元包括：

襯底；以及

在所述襯底中形成的多個導電通孔。

12.根據權利要求10的半導體器件，其中所述第一模塊化互連單元包括L形。

13.根據權利要求10的半導體器件，還包括：第二模塊化互連單元，其是鄰近所述半導體管芯的與所述第一模塊化互連單元相對的側設置的。

14.根據權利要求10的半導體器件，還包括：互連結構，其是在所述第一模塊化互連單元上與所述半導體部件相對地形成的。