[發(fā)明專利]一種ITiO靶材的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310669031.1 | 申請日： | 2013-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN103819177A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃誓成;何建進(jìn);陸映東 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣西晶聯(lián)光電材料有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | C04B35/01 | 分類號： | C04B35/01;C04B35/622 |
| 代理公司： | 柳州市榮久專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 45113 | 代理人： | 韋微 |
| 地址： | 545036 廣西壯族*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 itio 制備 方法 | ||
1.一種ITiO靶材的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）將TiO2納米粉體與In2O3納米粉體均勻混合得到ITiO粉體，ITiO粉體中TiO2的含量為0.5-5wt%，然后添加ITiO粉體質(zhì)量1%-5%的粘結(jié)劑PVA進(jìn)行造粒；
（2）將ITiO粉體裝入模具中在40～80MPa下壓制成型，將第一次成型的素坯，再用200-300MPa進(jìn)行二次成型，然后以4-8MPa/?min進(jìn)行卸壓，至常壓后取出成型好的素坯，
（3）將素坯放在燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)條件是指以不高于1℃/?min的升溫速率升溫，至1350～1550℃保溫?zé)Y(jié)6～12小時，之后按降溫速率0.75～1℃/?min降溫至950～1050℃，之后自然降溫；得到ITiO靶材。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種ITiO靶材的制備方法，其特征在于：所述的第一次成型是在液壓機(jī)中壓制成型，第二次成型是在冷等靜壓機(jī)中壓制成型。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種ITiO靶材的制備方法，其特征在于：所述的燒結(jié)是在常壓燒結(jié)爐的氧氣氛圍中進(jìn)行燒結(jié)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的一種ITiO靶材的制備方法，其特征在于：所述的燒結(jié)的升溫速率為0.3-1℃/?min。
5.如權(quán)利要求1或2所述的一種ITiO靶材的制備方法，其特征在于：所述的TiO2納米粉體與In2O3納米粉體的純度為99.99%以上。
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