[發(fā)明專利]一種TFT基板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310667605.1
• 申請(qǐng)日: 2013-12-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104701324A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王東巍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大連鑫永工業(yè)制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 大連東方專利代理有限責(zé)任公司 21212
• 代理人: 曲永祚

1.一種TFT基板，其特征在于：

包括薄膜晶體管；

所述薄膜晶體管包括有源層、絕緣層、柵電極以及金屬構(gòu)件，所述的有源層包括多個(gè)摻雜區(qū)以及一個(gè)非摻雜區(qū)且所述的多個(gè)摻雜區(qū)至少包括一個(gè)低摻雜區(qū)；所述的金屬構(gòu)件布置于所述的有源層上，所述的絕緣層布置于所述的金屬構(gòu)件上，且所述的絕緣層與金屬構(gòu)件之間設(shè)置絕緣電介質(zhì)層；

所述的薄膜晶體管設(shè)置于基板上，在所述基板上布設(shè)電極配線；

且所述的薄膜晶體管的柵電極上布設(shè)氧化物層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TFT基板，其特征在于：所述的低摻雜區(qū)為P型硼離子摻雜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TFT基板，其特征在于：所述的絕緣電介質(zhì)層材料可以選用多晶硅、氮化硅、二氧化硅材料中的一種，在580℃—650℃進(jìn)行常壓氣相淀積或者等離子氣相淀積。