[發明專利]一種制作硅基異質結電池片時邊緣絕緣的方法有效
| 申請號： | 201310666703.3 | 申請日： | 2013-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN104701411A | 公開（公告）日： | 2015-06-10 |
| 發明（設計）人： | 林朝暉;宋廣華;曾小燕;黃輝明 | 申請（專利權）人： | 泉州市博泰半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市鯉城區高*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制作 硅基異質結 電池 片時 邊緣 絕緣 方法 | ||
1.一種制作硅基異質結電池片時邊緣絕緣的方法，其特征在于，包括：
提供正面已沉積P-型非晶硅薄膜層，反面已沉積N-型非晶硅薄膜層的硅片；
在所述硅片正反兩面上沉積導電透明氧化物層；
在所述導電透明氧化物層上沉積阻擋層；
在所述阻擋層上沉積種子層，其中導電透明氧化物層、阻擋層、種子層均繞鍍到硅片的四周切面；
在所述種子層外包覆上光阻材料層，其中光阻材料層包覆到硅片四周切面；
將光阻材料層包覆到硅片四周切面的部分掩膜，正反兩面進行曝光顯影；
刻蝕掉包覆到硅片四周切面的部分的光阻材料層；
刻蝕掉繞鍍到硅片四周切面的種子層、阻擋層和導電透明氧化物層；
刻蝕掉正反兩面的光阻材料層。
2.根據權利要求1所述的制作硅基異質結電池片時邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述導電透明氧化物層為ITO層或者摻雜其它元素的氧化銦層。
3.根據權利要求1所述的制作硅基異質結電池片時邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述阻擋層為Ti系列金屬層或Ta系列金屬層。
4.根據權利要求3所述的制作硅基異質結電池片時邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述Ti系列金屬為TiNx或TiW金屬層；所述Ta系列金屬層為Ta或TaNx金屬層。
5.根據權利要求1所述的制作硅基異質結電池片時邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述種子層為銅種子層。
6.根據權利要求1所述的制作硅基異質結電池片時邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述光阻材料層為感光干膜。
7.根據權利要求1所述的制作硅基異質結電池片時邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述包覆到硅片四周切面的光阻材料層使用顯影液刻蝕去除。
8.根據權利要求1所述的制作硅基異質結電池片時邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述繞鍍到硅片四周切面的種子層、阻擋層和到導電氧化物層使用酸性腐蝕液刻蝕去除。
9.根據權利要求1所述的制作硅基異質結電池片時邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述正反兩面的光阻材料層采用堿性腐蝕液刻蝕去除。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
