[發(fā)明專利]一種制作硅基異質(zhì)結(jié)電池片時(shí)邊緣絕緣的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310666703.3
• 申請(qǐng)日: 2013-12-10
• 公開（公告）號(hào): CN104701411A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林朝暉;宋廣華;曾小燕;黃輝明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泉州市博泰半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種制作硅基異質(zhì)結(jié)電池片時(shí)邊緣絕緣的方法，其特征在于，包括：

提供正面已沉積P-型非晶硅薄膜層，反面已沉積N-型非晶硅薄膜層的硅片；

在所述硅片正反兩面上沉積導(dǎo)電透明氧化物層；

在所述導(dǎo)電透明氧化物層上沉積阻擋層；

在所述阻擋層上沉積種子層，其中導(dǎo)電透明氧化物層、阻擋層、種子層均繞鍍到硅片的四周切面；

在所述種子層外包覆上光阻材料層，其中光阻材料層包覆到硅片四周切面；

將光阻材料層包覆到硅片四周切面的部分掩膜，正反兩面進(jìn)行曝光顯影；

刻蝕掉包覆到硅片四周切面的部分的光阻材料層；

刻蝕掉繞鍍到硅片四周切面的種子層、阻擋層和導(dǎo)電透明氧化物層；

刻蝕掉正反兩面的光阻材料層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作硅基異質(zhì)結(jié)電池片時(shí)邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電透明氧化物層為ITO層或者摻雜其它元素的氧化銦層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作硅基異質(zhì)結(jié)電池片時(shí)邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述阻擋層為Ti系列金屬層或Ta系列金屬層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作硅基異質(zhì)結(jié)電池片時(shí)邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述Ti系列金屬為TiNx或TiW金屬層；所述Ta系列金屬層為Ta或TaNx金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作硅基異質(zhì)結(jié)電池片時(shí)邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述種子層為銅種子層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作硅基異質(zhì)結(jié)電池片時(shí)邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述光阻材料層為感光干膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作硅基異質(zhì)結(jié)電池片時(shí)邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述包覆到硅片四周切面的光阻材料層使用顯影液刻蝕去除。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作硅基異質(zhì)結(jié)電池片時(shí)邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述繞鍍到硅片四周切面的種子層、阻擋層和到導(dǎo)電氧化物層使用酸性腐蝕液刻蝕去除。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作硅基異質(zhì)結(jié)電池片時(shí)邊緣絕緣的方法，其特征在于，所述正反兩面的光阻材料層采用堿性腐蝕液刻蝕去除。