[發明專利]氮化物發光二極管及其制備方法

無效

• 申請號: 201310665895.6
• 申請日: 2013-12-11
• 公開（公告）號: CN103647009A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 陳沙沙;張東炎;劉曉峰;王良均;王篤祥
• 申請（專利權）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00
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1.氮化物發光二極管，包括：n型氮化物層和p型氮化物層，及其位于兩者之間的有源區，其中，所述有源區包括第一量子阱和第二量子阱，所述第一量子阱鄰近所述n型氮化物層，其阱層為Al_xIn_1-x-yGa_yN（0＜x＜1，0＜y＜1）。

2.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述Al_xIn_1-x-yGa_yN阱的x和y取值范圍滿x≤y，x+y＜1。

3.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述第一量子阱包括M對Al_xIn_1-x-yGa_yN/GaN量子阱（0＜x＜1，0＜y＜1），第二量子阱包括N對InGaN/GaN量子阱。

4.根據權利要求3所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述M、N取值范圍滿足2≤M≤7，5≤M+N≤30。

5.根據權利要求1或3所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述Al_xIn_1-x-yGa_yN阱的In和Al組分是固定的，或者是沿著生長方向呈倒立V型漸變、梯形漸變或者正弦曲線漸變形式。

6.根據權利要求3所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述Al_xIn_1-x-yGa_yN/GaN量子阱周期厚度小于InGaN/GaN量子阱的周期厚度。

7.根據權利要求6所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述InGaN/GaN量子阱周期厚度為50~200?，Al_xIn_1-x-yGa_yN/GaN量子阱周期厚度為?InGaN/GaN量子阱的30%~70%。

8.根據權利要求3所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述Al_xIn_1-x-yGa_yN阱的帶隙寬度最小值大于所述InGaN阱的帶隙寬度。

9.根據權利要求3或8所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述Al_xIn_1-x-yGa_yN阱的帶隙寬度為2.9~3.4eV，所述InGaN阱的帶隙寬度為2.3~2.8eV。

10.氮化物發光二極管的制備方法，包括依次外延生長n型氮化物層、有源區和p型氮化物層，其特征在于：所述形成的有源區包括第一量子阱和第二量子阱，所述第一量子阱鄰近所述n型氮化物層，其阱層為Al_xIn_1-x-yGa_yN（0＜x＜1，0＜y＜1）。

11.根據權利要求10所述的氮化物發光二極管的制備方法，其特征在于：所述Al_xIn_1-x-yGa_yN阱的x和y取值范圍滿x≤y，x+y＜1。

12.根據權利要求10所述的氮化物發光二極管的制備方法，其特征在于：所述形成的第一量子阱包括M對Al_xIn_1-x-yGa_yN/GaN量子阱（0＜x＜1，0＜y＜1），第二量子阱包括N對InGaN/GaN量子阱。

13.根據權利要求12所述的氮化物發光二極管的制備方法，其特征在于：所述M、N取值范圍滿足2≤M≤7，5≤M+N≤30。

14.根據權利要求12所述的氮化物發光二極管的制備方法，其特征在于：所述M對Al_xIn_1-x-yGa_yN/GaN量子阱的生長時間小于N對InGaN/GaN量子阱的生長時間。

15.根據權利要求12所述的氮化物發光二極管的制備方法，其特征在于：所述Al_xIn_1-x-yGa_yN阱的生長溫度高于InGaN阱的生長溫度。