[發(fā)明專利]降低電腦屏幕反射率的薄膜材料在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310665857.0 | 申請日: | 2013-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN104694881A | 公開(公告)日: | 2015-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張磊 | 申請(專利權(quán))人: | 大連奧林匹克電子城咨信商行 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/10;C23C14/20;B32B9/04;B32B27/06 |
| 代理公司: | 大連東方專利代理有限責(zé)任公司 21212 | 代理人: | 賈漢生 |
| 地址: | 116000 遼寧省大*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 降低 電腦屏幕 反射率 薄膜 材料 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電腦保護(hù)膜,具體涉及一種降低電腦屏幕反射率的薄膜材料。
背景技術(shù)
電腦與現(xiàn)代人的生活有著密切的關(guān)系,很多人在一天的大部分時(shí)間面對著電腦屏幕。電腦的工作原理會造成在電腦屏幕上積累電荷,造成吸附灰塵,與周圍物體放電等不良后果。同時(shí),電腦產(chǎn)生的電磁輻射光、反射光,在長時(shí)間面對電腦時(shí),眼睛容易疲勞,發(fā)紅絲,視力下降,甚至嚴(yán)重影響身體健康,如頭暈,頭痛,注意力不集中等。
傳統(tǒng)的降低電腦屏幕反射率的薄膜材料是采用一層ITO膜與其他介質(zhì)匹配的方法,但此方法方制備方法復(fù)雜、制作成本高等缺點(diǎn),
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種價(jià)格低廉、制備工藝簡單的降低電腦屏幕反射率的薄膜材料。
本發(fā)明的技術(shù)方案為如下:
一種降低電腦屏幕反射率的薄膜材料,包括底模,其特征在于,在底模上蒸鍍有蒸發(fā)膜料,所述蒸發(fā)膜料為Cr和SiO2。
本發(fā)明中,所述在底模上蒸鍍有蒸發(fā)膜料的工藝采用真空蒸鍍法。
本發(fā)明中,所述真空蒸鍍法采用的真空度為6-9×10-3Pa。
本發(fā)明中,在底模上蒸鍍蒸發(fā)膜料時(shí),所述Cr的蒸發(fā)速率為0.4nm/s,所述SiO2的蒸發(fā)速率為0.2nm/s。
本發(fā)明中,所述底模為透明薄膜。進(jìn)一步,所述透明薄膜為PE、PVC或PVDC薄膜。
本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明采用普通的真空蒸鍍的方法將Cr與SiO2鍍膜材料蒸鍍在普通的透明薄膜材料中,未用傳統(tǒng)的ITO透明導(dǎo)電膜,降低了生產(chǎn)成本。本發(fā)明的薄膜材料光學(xué)性能優(yōu)良,明顯減少反射光,在可見區(qū),其反射率降低至0.5%以下。本發(fā)明的薄膜材料可以直接貼在電腦顯示器上,應(yīng)用方便。
具體實(shí)施方式
下述非限制性實(shí)施例可以使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更全面地理解本發(fā)明,但不以任何方式限制本發(fā)明。實(shí)施例中所述試驗(yàn)方法,如無特殊說明,均為常規(guī)方法;所述試劑和材料,如無特殊說明,均可從商業(yè)途徑獲得,或可以常規(guī)方法制備。
實(shí)施例1
一種降低電腦屏幕反射率的薄膜材料,是采用本領(lǐng)域常用的真空蒸鍍法將Cr和SiO2組成的蒸發(fā)膜料均勻蒸鍍在PVC透明薄膜上制備而成的。
在上述真空蒸鍍法蒸鍍蒸發(fā)膜料時(shí),裝置的真空度控制在7.2×10-3Pa,所述Cr的蒸發(fā)速率為0.4nm/s,所述SiO2的蒸發(fā)速率為0.2nm/s。
實(shí)施例2
一種降低電腦屏幕反射率的薄膜材料,是采用本領(lǐng)域常用的真空蒸鍍法將Cr和SiO2組成的蒸發(fā)膜料均勻蒸鍍在PE透明薄膜上制備而成的。
在上述真空蒸鍍法蒸鍍蒸發(fā)膜料時(shí),裝置的真空度控制在8.2×10-3Pa,所述Cr的蒸發(fā)速率為0.4nm/s,所述SiO2的蒸發(fā)速率為0.2nm/s。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





