[發明專利]一種環保無重金屬量子點太陽能電池及其制作方法有效
| 申請號: | 201310665055.X | 申請日: | 2013-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN103618047A | 公開(公告)日: | 2014-03-05 |
| 發明(設計)人: | 張宇;翟微微;劉文閆;于偉泳;王一丁;張佳全;張鐵強;林曉瓏;高文竹;馮毅 | 申請(專利權)人: | 吉林大學 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 長春吉大專利代理有限責任公司 22201 | 代理人: | 朱世林;王壽珍 |
| 地址: | 130012 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 環保 重金屬 量子 太陽能電池 及其 制作方法 | ||
1.一種環保無重金屬量子點太陽能電池,主要由基底、正極、空穴收集層、光敏層、收集層和負極組成,其特征在于:所述正極為ITO電極(2),將其沉積在基板(1)上,ITO)電極(2)和基板(1)能使太陽光透過,所述空穴收集層為具有極強導電性能的聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)
(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)縮寫PEDOT:PSS)層(3),將其旋涂在ITO電極(2)上,所述光敏層為位于PEDOT:PSS層(3)之上的CuInS2/ZnS?QDs層(4),所述收集層為在CuInS2/ZnS?QDs層(4)上旋涂的ZnO納米薄膜層(5),所述負極為在ZnO納米薄膜層(5)上蒸鍍的Al電極(6)。
2.一種如權利要求1所述的環保無重金屬量子點太陽能電池的制作方法,其特征在于:
首先,將帶有ITO電極(2)的基板(1)用超聲凈洗,在150℃下烘烤10分鐘后,進行紫外線處理;
其次,通過旋涂方法將PEDOT:PSS層(3)旋涂在ITO電極(2)上,旋涂厚度為30nm,接著在N2環境下150℃退火10分鐘;
第三,在PEDOT:PSS層(3)上,旋涂CuInS2/ZnS?QDs層(4),在旋涂過程中以120℃進行退火,以去除溶液中的溶劑;
第四,在CuInS2/ZnS?QDs層(4)上旋涂ZnO納米薄膜層(5):使用勻膠機在CuInS2/ZnS?QDs層(4)上旋涂25nm?ZnO納米薄膜層(5),在80℃的烤盤上退火30分鐘;
最后,采用熱蒸鍍的方法在ZnO納米薄膜層(5)上形成150nm的Al電極(6),這樣就完成了環保無重金屬量子點太陽能電池的制作。
3.如權利要求2所述的一種環保無重金屬量子點太陽能電池的制作方法,其特征在于:
所述CuInS2/ZnS?QDs的合成方法,是用4mL的1-十八烯(octadecene縮寫ODE)稀釋1mL的銅銦硫(CuInS2)膠質量子點溶液,并且脫氣三次,將0.4mmol的硬脂酸鋅和0.4mmol的硫溶解到三基辛溶液中,在210攝氏度下將4mL的ODE逐滴加入反應溶液中,整個加入過程超過20分鐘。
4.如權利要求2所述的一種環保無重金屬量子點太陽能電池的制作方法,其特征在于:
首先,所述銅銦硫(CuInS2)的合成方法,是在空氣中將0.26gCu(acac)2和0.41g?In(acac)3添加到裝有7mL的3,3,-二氯聯苯胺(3,3,-dichlorobenzidine縮寫DCB)的量程為25mL的三口燒瓶中,在另一個量程為25mL的三口燒瓶中將0.064g的硫溶解到3mL?DCB中。
其次,將兩個燒瓶連接到Schlenk?line玻璃管,在室溫下用30分鐘抽取真空,以排除氧氣和水分。
第三,接著在60攝氏度下通入30分鐘的N2,將0.5mL至2mL的OLA添加到(Cu,In)-DCB混合液。
最后,同時將兩個燒瓶加熱到110攝氏度后混合,在操作期間要保持一直通有N2氣體,反應1小時以后,冷卻至室溫,用過量的乙醇對量子點進行提純。
5.如權利要求2所述的一種環保無重金屬量子點太陽能電池的制作方法,其特征在于:
所述ZnO納米薄膜層(5)的ZnO納米晶通過以下方式制作,將30mL0.08mol/L的無水醋酸鋅/乙醇溶液加熱至沸騰,保持20分鐘,然后把溶液降溫至室溫,注入10mL0.5mol/LNaOH/乙醇溶液,在室溫下生長約12小時,經提純后,得到ZnO納米晶,并分散在乙醇中。
6.如權利要求2所述的一種環保無重金屬量子點太陽能電池的制作方法,其特征在于:
所述步驟一中的超聲凈洗包括:分別置于清洗液、去離子水、丙酮和異丙醇中清洗2次,每次15分鐘。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





