[發明專利]多結多頭光伏器件在審
| 申請號: | 201310664921.3 | 申請日: | 2013-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN103855236A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 俞榮浚;穆尼布·沃貝爾 | 申請(專利權)人: | 立那工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/0328 |
| 代理公司: | 北京華睿卓成知識產權代理事務所(普通合伙) 11436 | 代理人: | 程淼;彭武 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多頭 器件 | ||
1.一種可操作將光轉換成電能的光伏器件,包括:基底、第一結、第二結和第三結;其中,所述第一結和所述第二結按相反極性排列,并且所述第二結和所述第三結按相反極性排列。
2.如權利要求1所述的光伏器件,還包括第一端子,其直接電連接到所述第一結和所述第二結的陽極或所述第一結和所述第二結的陰極。
3.如權利要求1所述的光伏器件,還包括第二端子,其直接電連接到所述第二結和所述第三結的陽極或所述第二結和所述第三結的陰極。
4.如權利要求1所述的光伏器件,還包括第二過孔,其被配置為容納到所述第二結的直接電連接。
5.如權利要求4所述的光伏器件,其中,所述第二過孔的側壁被電絕緣材料覆蓋。
6.如權利要求4所述的光伏器件,其中,所述第二過孔的側壁被所述第一結的材料覆蓋。
7.如權利要求1所述的光伏器件,其中,所述第二結和所述第三結被配置為使得所述第二結和所述第三結的電流基本相等。
8.如權利要求1所述的光伏器件,還包括與所述基底基本垂直的一個或多個結構,其中,所述第一、第二和第三結被適形地沉積在所述一個或多個結構上。
9.如權利要求8所述的光伏器件,其中,所述一個或多個結構中的至少一些各自具有尖部和非尖部。
10.如權利要求9所述的光伏器件,其中,所述尖部具有所述結構的高度的大約10%到100%的高度。
11.如權利要求9所述的光伏器件,其中,所述尖部的側壁和所述基底構成從60到85度的角度。
12.如權利要求9所述的光伏器件,其中,所述尖部是圓錐或截頭錐體。
13.如權利要求9所述的光伏器件,其中,所述尖部在其頂端不具有平面表面。
14.如權利要求9所述的光伏器件,其中,穿過所述尖部的平面截面的頂端的曲率(K)滿足方程≥n/λ,其中,n是所述尖部的折射率,λ是380nm。
15.如權利要求9所述的光伏器件,其中,所述第一、第二和第三結被覆蓋層所覆蓋。
16.如權利要求15所述的光伏器件,其中,所述覆蓋層的折射率小于所述第一、第二和第三結的折射率。
17.如權利要求8所述的光伏器件,還包括適形地沉積在所述結構和所述基底上的一個或多個透明傳導氧化物層。
18.如權利要求17所述的光伏器件,其中,在所述結構上的所述一個或多個透明傳導氧化物層的部分的厚度小于在所述基底上的所述一個或多個透明傳導氧化物層的另一部分的厚度。
19.一種制造具有一個或多個結構的光伏器件的方法,其中,所述一個或多個結構包含尖部;所述方法包括:
通過反應離子蝕刻具有金屬層作為護膜的基底來制造所述一個或多個結構;
通過蝕刻所述一個或多個結構來形成所述尖部。
20.如權利要求19所述的方法,還包括:
通過將聚合物的前驅體潑注在所述基底上然后再固化來制造聚合物模具;
移走所述聚合物模具并用氧化物層覆蓋所述聚合物模具;
利用所述聚合物模具沖壓未固化的陶瓷材料;
通過固化所述未固化的陶瓷材料來形成陶瓷結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





