[發(fā)明專利]固態(tài)硬盤寫入控制方法和裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310664753.8
• 申請日: 2013-12-10
• 公開（公告）號: CN104699415A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃斐玉
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)想（北京）有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 張耀光

1.一種固態(tài)硬盤寫入控制方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取第一固態(tài)硬盤的第一硬件信息，所述第一硬件信息包括第一寫入數(shù)據(jù)總量和第一剩余壽命；

確定所述第一寫入數(shù)據(jù)總量在壽命模型中對應(yīng)的理想剩余壽命的區(qū)間，所述壽命模型包括用戶寫入總量和理想剩余壽命關(guān)系曲線以及所述曲線的預(yù)測區(qū)間；

根據(jù)獲取到的所述第一剩余壽命與確定的所述理想壽命的區(qū)間，控制所述第一固態(tài)硬盤的寫入速度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述獲取第一固態(tài)硬盤的第一硬件信息之前，所述方法包括：

建立與所述第一固態(tài)硬盤同一型號的固態(tài)硬盤的所述壽命模型。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述建立與所述第一固態(tài)硬盤同一型號的固態(tài)硬盤的所述壽命模型，包括：

統(tǒng)計用戶實際寫入時數(shù)據(jù)的大小分布和類型分布；

按照所述用戶實際寫入時數(shù)據(jù)的大小分布和類型分布，向第二固態(tài)硬盤中寫入數(shù)據(jù)，所述第二固態(tài)硬盤與所述第一固態(tài)硬盤型號相同；

采樣所述第二固態(tài)硬盤的第二硬件信息，所述第二硬件信息包括第二寫入數(shù)據(jù)總量與第二剩余壽命；

采用多項式回歸擬合出用戶寫入總量和理想剩余壽命關(guān)系曲線以及所述曲線的預(yù)測區(qū)間，得到與所述第一固態(tài)硬盤同一型號的固態(tài)硬盤的壽命模型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)獲取到的所述第一剩余壽命與確定的所述理想壽命的區(qū)間，控制所述第一固態(tài)硬盤的寫入速度，包括：

當(dāng)獲取到的所述第一剩余壽命連續(xù)N次小于確定的所述理想壽命的區(qū)間的下限時，控制所述第一固態(tài)硬盤的寫入速度處于第一寫入速度，所述第一寫入速度小于出廠時所述第一固態(tài)硬盤的設(shè)定寫入速度，其中N為大于0的整數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述第一固態(tài)硬盤的寫入速度處于所述第一寫入速度時，獲取所述第一固態(tài)硬盤的第三硬件信息，所述第三硬件信息包括第三寫入數(shù)據(jù)總量和第三剩余壽命；

確定所述第三寫入數(shù)據(jù)總量在所述壽命模型中對應(yīng)的理想剩余壽命的區(qū)間；

當(dāng)獲取到的所述第三剩余壽命不小于確定的所述理想壽命的區(qū)間的下限時，控制所述第一固態(tài)硬盤的寫入速度處于所述設(shè)定寫入速度。

6.一種固態(tài)硬盤寫入控制裝置，其特征在于，所述裝置包括：

獲取模塊，用于獲取第一固態(tài)硬盤的第一硬件信息，所述第一硬件信息包括第一寫入數(shù)據(jù)總量和第一剩余壽命；

確定模塊，用于確定所述第一寫入數(shù)據(jù)總量在所述壽命模型中對應(yīng)的理想剩余壽命的區(qū)間，所述壽命模型包括用戶寫入總量和理想剩余壽命關(guān)系曲線以及所述曲線的預(yù)測區(qū)間；

控制模塊，用于根據(jù)獲取到的所述第一剩余壽命與確定的所述理想壽命的區(qū)間，控制所述第一固態(tài)硬盤的寫入速度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：建立模塊，用于在所述獲取第一固態(tài)硬盤的第一硬件信息之前，建立與所述第一固態(tài)硬盤同一型號的固態(tài)硬盤的所述壽命模型。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述建立模塊，包括：

采集單元，用于統(tǒng)計用戶實際寫入時數(shù)據(jù)的大小分布和類型分布；

寫入單元，用于按照所述用戶實際寫入時數(shù)據(jù)的大小分布和類型分布，向第二固態(tài)硬盤中寫入數(shù)據(jù)，所述第二固態(tài)硬盤與所述第一固態(tài)硬盤型號相同；

采樣單元，用于采樣所述第二固態(tài)硬盤的第二硬件信息，所述第二硬件信息包括第二寫入數(shù)據(jù)總量與第二剩余壽命；

處理單元，用于采用多項式回歸擬合出用戶寫入總量和理想剩余壽命關(guān)系曲線以及所述曲線的預(yù)測區(qū)間，得到與所述第一固態(tài)硬盤同一型號的固態(tài)硬盤的壽命模型。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述控制模塊，用于當(dāng)獲取到的所述第一剩余壽命連續(xù)N次小于確定的所述理想壽命的區(qū)間的下限時，控制所述第一固態(tài)硬盤的寫入速度處于第一寫入速度，所述第一寫入速度小于出廠時所述第一固態(tài)硬盤的設(shè)定寫入速度，其中N為大于0的整數(shù)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述獲取模塊，還用于在所述第一固態(tài)硬盤處于的寫入速度所述第一寫入速度時，獲取所述第一固態(tài)硬盤的第三硬件信息，所述第三硬件信息包括第三寫入數(shù)據(jù)總量和第三剩余壽命；

所述確定模塊，用于確定所述第三寫入數(shù)據(jù)總量在所述壽命模型中對應(yīng)的理想剩余壽命的區(qū)間；

所述控制模塊，用于當(dāng)獲取到的所述第三剩余壽命不小于確定的所述理想壽命的區(qū)間的下限時，控制所述第一固態(tài)硬盤的寫入速度處于所述設(shè)定寫入速度。