[發(fā)明專利]檢測電磁輻射的圖像像素設(shè)備和傳感器陣列以及檢測電磁輻射的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310664736.4 | 申請日: | 2013-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN103808415B | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | I·赫爾曼;C·舍林 | 申請(專利權(quán))人: | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號: | G01J5/10 | 分類號: | G01J5/10;G01J5/20;H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;胡莉莉 |
| 地址: | 德國斯*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測 電磁輻射 圖像 像素 設(shè)備 傳感器 陣列 以及 方法 | ||
1.用于檢測電磁輻射(1)的圖像像素設(shè)備(100),具有:
-吸收結(jié)構(gòu)裝置(110),其被設(shè)計用于吸收電磁輻射(1)和將所述電磁輻射作為熱量接收,并且設(shè)置在至少一個等離子體共振結(jié)構(gòu)裝置(115)處,所述等離子體共振結(jié)構(gòu)裝置被設(shè)計用于向吸收結(jié)構(gòu)裝置(110)傳送電磁輻射(1);和
-具有至少一個探測元件(125)的探測裝置(120),所述探測裝置與吸收結(jié)構(gòu)裝置通過至少一個熱橋耦合,并且所述探測元件被設(shè)計用于,檢測通過由吸收結(jié)構(gòu)裝置(110)所接收的熱量引起的至少一個探測元件(125)的電氣特性的變化并且由此檢測電磁輻射(1)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像像素設(shè)備(100),其中吸收結(jié)構(gòu)裝置(110)與探測裝置(120)間隔開地構(gòu)造。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像像素設(shè)備(100),其中吸收結(jié)構(gòu)裝置(110)與探測裝置(120)相距電磁輻射(1)波長的四分之一的多倍的高度地來構(gòu)造。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像像素設(shè)備(100),其中探測裝置(120)的至少一個探測元件(125)通過至少一個熱橋與吸收結(jié)構(gòu)裝置(110)耦合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的圖像像素設(shè)備(100),其中吸收結(jié)構(gòu)裝置(110)作為吸收電磁輻射(1)的層構(gòu)造。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像像素設(shè)備(100),其中吸收層的光學(xué)厚度是電磁輻射(1)的波長的四分之一的多倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的圖像像素設(shè)備(100),其中至少一個等離子體共振結(jié)構(gòu)裝置(115)構(gòu)造在吸收結(jié)構(gòu)裝置(110)的至少一個表面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的圖像像素設(shè)備(100),其中至少一個等離子體共振結(jié)構(gòu)裝置(115)構(gòu)造為金屬的等離子體共振結(jié)構(gòu)裝置(115)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的圖像像素設(shè)備(100),其另外具有反射裝置(113),所述反射裝置構(gòu)造在吸收結(jié)構(gòu)裝置(110)的至少一個表面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的圖像像素設(shè)備(100),其另外具有耦合裝置,所述耦合裝置被設(shè)計用于將探測裝置(120)和/或吸收結(jié)構(gòu)裝置(110)與襯底(20)耦合。
11.用于檢測電磁輻射(1)的傳感器陣列(10),具有至少一個根據(jù)權(quán)利要求1到10之一所述的圖像像素設(shè)備(100),其中至少一個圖像像素設(shè)備(100)耦合到襯底(20)。
12.用于借助圖像像素設(shè)備(100)檢測電磁輻射(1)的方法,具有下面的方法步驟:
-借助等離子體共振結(jié)構(gòu)裝置(115)向吸收結(jié)構(gòu)裝置(110)傳送(S1)電磁輻射(1)并且吸收該電磁輻射(1)并且作為熱量接收所吸收的電磁輻射(1);
-通過布置在吸收結(jié)構(gòu)裝置與探測裝置之間的熱橋?qū)崃繌乃鑫战Y(jié)構(gòu)裝置傳輸?shù)教綔y裝置;和
-檢測(S2)通過由吸收結(jié)構(gòu)裝置(110)所接收的熱量引起的探測裝置(120)至少一個探測元件(125)的電特性的變化,以便由此探測電磁輻射(1)。
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