[發明專利]帶有金屬化側墻的半導體發光器件有效

申請號：	201310664614.5	申請日：	2013-12-10
公開（公告）號：	CN104241477B	公開（公告）日：	2017-08-11
發明（設計）人：	J·M·弗羅因德;D·L·德賴弗斯	申請（專利權）人：	安華高科技通用IP(新加坡)公司
主分類號：	H01L33/20	分類號：	H01L33/20;H01L33/02;H01L33/00
代理公司：	北京律盟知識產權代理有限責任公司11287	代理人：	王田
地址：	新加坡***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	帶有金屬化半導體發光器件
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【權利要求書】：

1.一種半導體發光器件，包括：

至少部分透明的襯底，包括第一表面和第二表面；

有源半導體結構，包括第一表面、第二表面以及至少一個側墻，所述有源半導體結構的所述第一表面面向所述襯底的所述第二表面；

絕緣層，包圍所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的至少一部分；以及

金屬層，包圍所述絕緣層的至少外側部分；

其中所述有源半導體結構的所述至少一個側墻呈錐形；其中所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的第一部分具有與所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的第二部分不同的錐度；以及

其中所述有源半導體結構包括在所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的所述第一部分中且鄰近所述有源半導體結構的所述第二表面的有源區，所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的所述第一部分從所述有源區延伸至所述有源半導體結構的所述第二表面，所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的所述第二部分從所述有源區延伸至所述有源半導體結構的所述第一表面。

2.根據權利要求1的器件，其中所述有源半導體結構的所述至少一個側墻從所述有源半導體結構的所述第一表面向內呈錐形。

3.根據權利要求1的器件，其中所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的所述第一部分與所述有源半導體結構的所述第二表面形成圓形化的邊緣。

4.根據權利要求1的器件，其中所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的所述第一部分和所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的所述第二部分包括各自的線性段，所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的所述第一部分的所述線性段相對于所述有源半導體結構的所述第二表面的斜率大小要小于所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的所述第二部分相對于所述有源半導體結構的所述第二表面的斜率大小。

5.根據權利要求1的器件，其中所述至少一個側墻呈錐形，使得所述金屬層將由所述有源半導體結構產生的光向所述襯底的所述第一表面反射。

6.根據權利要求1的器件，所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的所述第一部分的錐形經配置以減小所述有源半導體結構的邊緣處的應力集中區域，在所述有源半導體結構的邊緣處所述有源半導體結構的所述至少一個側墻與所述有源半導體結構的所述第二表面交匯。

7.根據權利要求1的器件，其中包圍所述有源半導體結構的所述側墻的所述第一部分的所述絕緣層的第一部分厚于包圍所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的所述第二部分的所述絕緣層的第二部分。

8.根據權利要求1的器件，其中所述絕緣層包括至少部分透明的、鈍化的抗反射絕緣層。

9.根據權利要求1的器件，其中所述絕緣層經配置以阻止對從有源區發射的光的表面吸收。

10.根據權利要求1的器件，其中所述器件實施為半導體激光器和發光二極管。

11.一種方法，包括：

形成至少部分透明的襯底，所述襯底包括第一表面和第二表面；

形成有源半導體結構，所述有源半導體結構包括第一表面、第二表面以及至少一個側墻，所述有源半導體結構的第一表面面向所述襯底的所述第二表面；

形成絕緣層，所述絕緣層包圍所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的至少一部分；以及

形成金屬層，所述金屬層包圍所述絕緣層的至少一外側部分；

12.根據權利要求11的方法，其中包圍所述有源半導體結構的所述側墻的所述第一部分的所述絕緣層的第一部分厚于包圍所述有源半導體結構的所述至少一個側墻的所述第二部分的所述絕緣層的第二部分。