[發明專利]集成結和接觸件的形成以形成晶體管

在審

• 申請號: 201310662452.1
• 申請日: 2013-12-09
• 公開（公告）號: CN104347423A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 王立廷;蔡騰群;林群雄;林正堂;陳繼元;李弘貿;張惠政
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

在半導體區域上方形成柵極堆疊件；

在所述半導體區域上方沉積雜質層；

在所述雜質層上方沉積金屬層；以及

實施退火，其中，所述雜質層中的元素通過所述退火擴散進所述半導體區域的一部分內以形成源極/漏極區域，并且所述金屬層與所述半導體區域的所述一部分的表面層反應以在所述源極/漏極區域上方形成源極/漏極硅化物區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述退火的步驟之前，沒有額外的重摻雜源極/漏極區域形成在所述半導體區域中。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在沉積所述雜質層之前，在所述半導體區域的頂面上實施預清洗以去除在所述半導體區域的頂面上形成的自然氧化物。

4.根據權利要求3所述的方法，進一步包括，在所述預清洗之前：

在半導體襯底中形成淺溝槽隔離（STI）區域；

去除所述半導體襯底的頂部以形成凹槽，其中，所述頂部位于所述STI區域的相對部分之間；以及

在所述凹槽中實施外延以再生長半導體材料，從而形成所述半導體區域。

5.根據權利要求4所述的方法，進一步包括：

使所述STI區域凹進，其中，所述半導體區域位于凹進的所述STI區域之間的部分形成半導體鰭，并且所述柵極堆疊件形成在所述半導體鰭的頂面和側壁上。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積所述雜質層包括將工藝氣體引入腔室內，包含所述半導體區域的晶圓設置在所述腔室中，并且在沉積所述雜質層的過程中，沒有等離子體產生。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積所述雜質層包括將工藝氣體引入腔室內，包含所述半導體區域的晶圓設置在所述腔室中，并且在沉積所述雜質層的過程中，由所述工藝氣體產生等離子體。

8.一種方法，包括：

在生產工具中，將雜質層形成在半導體晶圓的半導體區域上方，其中，所述晶圓包括位于所述半導體區域上方的柵極堆疊件；

在所述生產工具中，將金屬層沉積在所述雜質層上方并與所述雜質層接觸，其中，在從開始形成所述雜質層至完成沉積所述金屬層的時間段內，所述生產工具保持真空；以及

實施退火，其中，所述雜質層中的元素擴散進所述半導體區域的一部分內以形成源極/漏極區域，并且所述金屬層與所述半導體區域的所述一部分的表面層反應以在所述源極/漏極區域上方形成源極/漏極硅化物區域。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，當實施所述退火時，沒有額外的保護層位于所述金屬層上方。

10.一種方法，包括：

在半導體區域上方形成柵極堆疊件；

對所述半導體區域的表面實施預清洗；

將雜質層沉積在所述半導體區域的所述表面上并與所述半導體區域的所述表面物理接觸，其中，所述雜質層包括配置以將所述半導體區域轉變為p型或者n型的雜質；

將金屬層沉積在所述雜質層上并與所述雜質層接觸；以及

實施退火，其中，所述雜質層中的元素擴散進所述半導體區域的一部分內以在所述半導體區域中形成源極/漏極區域，并且所述金屬層與所述半導體區域的所述一部分的表面層反應以在所述源極/漏極區域上方形成源極/漏極硅化物區域，并且在所述退火過程中，沒有額外的保護層形成在所述金屬層上方。