[發(fā)明專利]通孔填充方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310661878.5
• 申請日: 2013-12-09
• 公開（公告）號: CN104701244A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉超
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種通孔填充方法，其特征在于，包括：

提供前端結(jié)構(gòu)，所述前端結(jié)構(gòu)中形成有通孔；

按照1:1體積比例通入WF6氣體與SiH4氣體進(jìn)行第一次反應(yīng)，以在所述通孔內(nèi)壁上形成第一層金屬膜；

通入緩沖氣體SiH4，防止第一層金屬膜被破壞；

按照3:1體積比例通入WF6氣體與SiH4氣體進(jìn)行第二次反應(yīng)，以在所述通孔內(nèi)壁上形成金屬膜。

2.如權(quán)利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述第一次反應(yīng)的持續(xù)時(shí)間為3-10s。

3.如權(quán)利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述緩沖氣體的流量為10-100sccm，持續(xù)時(shí)間為10-30s。

4.如權(quán)利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述第二次反應(yīng)的持續(xù)時(shí)間為5-20s。

5.如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的通孔填充方法，其特征在于，所述進(jìn)行第一次反應(yīng)、通入緩沖氣體及進(jìn)行第二次反應(yīng)所處溫度范圍是400-500℃。

6.如權(quán)利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，在按照3:1體積比例通入WF6氣體與SiH4氣體進(jìn)行第二次反應(yīng)，以在所述通孔內(nèi)壁上形成金屬膜后，還包括：

在通孔中形成金屬塊。

7.如權(quán)利要求6所述的通孔填充方法，其特征在于，所述金屬塊的材料為鎢，采用WF6與H2反應(yīng)形成。

8.如權(quán)利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，還包括：

確保提供氣體的噴淋頭出氣孔的直徑小于等于430μm。