[發明專利]一種多波長共振的等離子共振結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201310660621.8
• 申請日: 2013-12-06
• 公開（公告）號: CN103645160A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 呂昌貴;趙亮亮;王肇征;畢紀軍;葉莉華;鐘嫄;崔一平
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G01N21/552
• 分類號: G01N21/552
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 楊曉玲

1.一種多波長共振的等離子共振結構，其特征在于：包括介質圓盤（1）和金屬圓盤（2），所述介質圓盤（1）和金屬圓盤（2）交替疊加構成柱對稱結構，所述金屬圓盤（2）的層數大于等于三層，所有金屬圓盤（2）的圓面面積和厚度均相等，所述介質圓盤（1）的材料為光學透明介質，所有介質圓盤（1）的圓面面積和厚度均相等，所述介質圓盤（1）的圓面面積小于等于金屬圓盤（2）的圓面面積。

2.根據權利要求1所述的一種多波長共振的等離子共振結構，其特征在于：所述介質圓盤（1）和金屬圓盤（2）的直徑相等。

3.根據權利要求1或2所述的一種多波長共振的等離子共振結構，其特征在于：所述金屬圓盤（2）的材料為金或銀，光學透明介質為SiO₂或MgF₂。

4.基于權利要求1所述的一種多波長共振的等離子共振結構的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）在玻璃或者石英基片上通過旋圖的方法涂覆一層有機薄膜；

（2）使用制備好的模板在有機薄膜上進行壓印，模刻出柱對稱結構凹槽陣列；

（3）對有機薄膜進行烘焙以及反應離子束刻蝕處理；

（4）然后在柱對稱結構凹槽陣列內交替逐層蒸鍍金屬和介質；

（5）蒸鍍完成后采用有機溶液清洗去除有機薄膜，保留下柱對稱結構。