[發(fā)明專利]一種減少單晶硅晶圓片劃道的拋光工藝

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310660135.6
• 申請(qǐng)日: 2013-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN103646851A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫晨光;梁愛景;李諾;張晉會(huì);李翔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 天津?yàn)I海科緯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12211
• 代理人: 孫春玲

1.一種減少單晶硅晶圓片劃道的拋光工藝，其特征在于：包括以下步驟:

1）清潔拋光機(jī)機(jī)身、外導(dǎo)輪、中心導(dǎo)輪以及拋光頭；

2）清潔陶瓷盤，將清潔完的陶瓷盤浸泡到濃度為10%KOH的溶液中，浸泡1-5小時(shí)后取出，用純水沖洗陶瓷表面后使其干燥；

3）刷洗用于裝載硅晶圓片的吸附墊表面以及吸附墊槽內(nèi)，吸附墊要保持濕潤(rùn)；

4）將吸附墊粘貼到干燥的陶瓷盤表面，以便在拋光過程中固定硅晶圓片；

5）手動(dòng)將硅晶圓片貼到吸附墊槽內(nèi)，并旋轉(zhuǎn)擠壓拋光片，把吸附墊槽中多余水?dāng)D出，確認(rèn)硅晶圓片緊緊吸附在吸附墊槽內(nèi)；

6）上載拋光機(jī)進(jìn)行粗拋光，拋光壓力為2.0-2.2bar,拋光時(shí)間控制在20-30min，中心盤轉(zhuǎn)速20-25rpm，拋光流量控制在58-62l/h,拋光溫度控制在30-38℃，硅晶圓片去除率控制在0.5-0.6um/min；

7）接著進(jìn)行精拋光，精拋壓力控制在1.0-1.5bar，拋光時(shí)間控制在10-14min，中心盤轉(zhuǎn)速控制在29-32rpm，拋光流量58-62l/h,拋光溫度控制在28-32℃，硅晶圓片去除率控制在0.2-0.4um/min；

8）采用兆聲清洗機(jī)清洗硅晶圓片，使硅晶圓片清潔度為：>0.2um的顆粒數(shù)≤20個(gè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少單晶硅晶圓片劃道的拋光工藝，其特征在于：步驟2）中，清潔完的陶瓷盤需要浸泡到濃度為10%KOH的溶液4小時(shí)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的減少單晶硅晶圓片劃道的拋光工藝，其特征在于：步驟2）中，用純水沖洗陶瓷表面后，需要收集沖洗后的純水進(jìn)行液體顆粒度測(cè)試，要求滿足顆粒度要求：>0.2um的顆粒數(shù)≤500個(gè)，>0.3um的顆粒數(shù)≤200個(gè)，>0.5um的顆粒數(shù)≤50個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的減少單晶硅晶圓片劃道的拋光工藝，其特征在于：接觸硅晶圓片時(shí)，手上要戴上一次性PE手套。