[發明專利]一種具有擇優取向的Cu2ZnSn(S1?xSex)4薄膜

有效

• 申請號: 201310660123.3
• 申請日: 2013-12-09
• 公開（公告）號: CN104701394B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 王吉寧;王飛;劉曉鵬;蔣利軍;王樹茂
• 申請（專利權）人: 北京有色金屬研究總院
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/0392
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司11100
• 代理人: 劉秀青,熊國裕

1.一種具有擇優取向的Cu₂ZnSn(S_1-xSe_x)₄薄膜，其特征在于，包括沉積在襯底表面的種子層、以及沉積在種子層之上的Cu₂ZnSn(S_1-xSe_x)₄層，其中0≤x≤1。

2.根據權利要求1所述的具有擇優取向的Cu₂ZnSn(S_1-xSe_x)₄薄膜，其特征在于，所述種子層具有擇優取向，厚度為5～15nm。

3.根據權利要求1所述的具有擇優取向的Cu₂ZnSn(S_1-xSe_x)₄薄膜，其特征在于，所述Cu₂ZnSn(S_1-xSe_x)₄層具有擇優取向，厚度為0.1～2μm。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的具有擇優取向的Cu₂ZnSn(S_1-xSe_x)₄薄膜，其特征在于，所述種子層的材料為Cu₂ZnSn(S_1-xSe_x)₄中所含金屬元素的硫化物或硒化物。

5.根據權利要求4所述的具有擇優取向的Cu₂ZnSn(S_1-xSe_x)₄薄膜，其特征在于，所述硫化物為立方結構的ZnS、Cu₂S、CuS₂或Cu₃SnS₄。

6.根據權利要求4所述的具有擇優取向的Cu₂ZnSn(S_1-xSe_x)₄薄膜，其特征在于，所述硒化物為立方結構的ZnSe、Cu₂Se、Cu₂SnSe₃或Cu₂SnSe₄。

7.根據權利要求1～3中任一項所述的具有擇優取向的Cu₂ZnSn(S_1-xSe_x)₄薄膜，其特征在于，所述襯底為玻璃襯底、石英襯底、硅襯底或不銹鋼襯底，或者為鍍有Mo層、ITO層或FTO層的玻璃襯底、石英襯底、硅襯底、不銹鋼襯底。